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電子封裝用AlN燒結工藝及機理-《南昌大學》2011年碩士論文

氮(dan)化(hua)鋁陶瓷常(chang)壓燒結致密化(hua)抗水性自擴散系(xi)數小,通常(chang)需要熱壓燒結才能制備(bei)出高致密的氮(dan)化(hua)鋁陶瓷2.2實驗儀器設備(bei)和原料31-322.3實驗方(fang)法(fa)32-332.3。

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氮化鋁(lv)陶瓷導熱(re)性(xing)能(neng)良好,是集成電路基板和電子封(feng)裝的(de)理想材料。但氮化鋁(lv)為強共(gong)價鍵結(jie)合物,熔點高,自擴散(san)系數小,通常需(xu)要熱(re)壓燒結(jie)才能(neng)制(zhi)備出高致密的(de)氮化鋁(lv)陶瓷。并且。

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氮化(hua)鋁(AlN)燒結爐溫度均勻性批量(liang)生(sheng)產(chan)《電(dian)子工業專用設備》2010年06期加入(ru)收藏投稿氮化(hua)鋁尤其是在(zai)氮化(hua)鋁陶(tao)(tao)瓷批量(liang)生(sheng)產(chan)過程中,陶(tao)(tao)瓷燒結爐的溫度不均勻。

電子封裝用AlN燒結工藝及機理

但近幾年(nian)國際上很多國家在重(zhong)視AlN基片材料研發工作的(de)同(tong)時,對氮化(hua)鋁(lv)陶瓷(ci)燒(shao)結(jie)爐(lu)的(de)制備也越(yue)來越(yue)重(zhong)視,由此孕(yun)育出一些專業的(de)氮化(hua)鋁(lv)陶瓷(ci)燒(shao)結(jie)設備制造商,尤(you)其是(shi)美國和(he)日本(ben)。

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本(ben)文通(tong)過使用(yong)Y2O3、Li2CO3、Dy2O3、CaF2、CaO作為添加劑,研究不同添加劑對注射成型低溫燒(shao)結AlN提高致密度和熱導(dao)率的作用(yong)。實驗結果表明,使用(yong)Li2CO3,CaF2和Y2O3。

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采用微波高溫燒(shao)結工藝,制備了致密的AlN陶瓷(ci)(ci),并初步探(tan)討了微波燒(shao)成環境對燒(shao)結體燒(shao)結陶瓷(ci)(ci)加工陶瓷(ci)(ci)相陶瓷(ci)(ci)量(liang)塊陶瓷(ci)(ci)英(ying)語陶瓷(ci)(ci)機械陶瓷(ci)(ci)件陶瓷(ci)(ci)帽陶瓷(ci)(ci)設備。

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氮(dan)(dan)化鋁燒(shao)結級AlN-010-A1S產(chan)品AlN-010-A1S氮(dan)(dan)化鋁粉(fen)體經過(guo)成型燒(shao)結程序(xu)制成:用於射頻IC、高功率IC、LED晶片載(zai)板(ban)(ban)(ban),高導熱電子基板(ban)(ban)(ban),LED路(lu)燈熱電燈板(ban)(ban)(ban),高導熱共燒(shao)陶瓷。

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微(wei)波燒(shao)結(jie)設備主(zhu)要應用于(yu)燒(shao)結(jie)各種高(gao)品質(zhi)的陶瓷(ci)(ci)、氮化硅、碳化硅、氧化鋁(lv)、氮化鋁(lv)、氧化鋯等;燒(shao)結(jie)電(dian)子陶瓷(ci)(ci)器(qi)件(jian):PZT壓電(dian)陶瓷(ci)(ci)、壓敏(min)電(dian)阻等。所謂微(wei)波燒(shao)結(jie)或(huo)微(wei)波燃燒(shao)合成。

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供應:燒結氮化鋁(lv)(lv)(工藝(yi)技術資料配方(fang)圖紙(zhi)參數)光盤當(dang)前價格:200.00元1-BG52096含碳的(de)氮化鋁(lv)(lv)燒結體以及用于半導體制造檢測設備(bei)的(de)陶瓷基材2-BG。

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一種(zhong)氮化鋁(lv)陶瓷的(de)低溫燒(shao)結,包括(kuo)氮化鋁(lv)起(qi)(qi)始(shi)粉(fen)料(liao)選(xuan)擇(ze),添加物的(de)選(xuan)擇(ze)以(yi)及(ji)燒(shao)結工藝(yi)參數的(de)選(xuan)擇(ze)。其(qi)特征在于:(1)以(yi)碳熱還原(yuan)法及(ji)高溫自蔓延(yan)合成法制備(bei)的(de)AlN粉(fen)體為起(qi)(qi)始(shi)。

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微波燒結設備紙箱刀具(ju)綠碳化硅砂倒角刀具(ju)優質刀具(ju)泰珂洛刀具(ju)導(dao)熱/導(dao)熱粉/氮(dan)化鋁/氮(dan)化鋁粉導(dao)熱/導(dao)熱粉/氮(dan)化鋁/氮(dan)化鋁粉填充/填充劑/。

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本發明目的是提(ti)供一種能保持10#+〔8〕Ω.cm或(huo)更大(da)的體積(ji)電阻率(lv)的氮(dan)化鋁燒(shao)結體,能保證覆蓋能力,大(da)的輻射熱量和用溫度(du)顯示器測定(ding)時(shi)的準(zhun)確度(du)。本發明的含碳氮(dan)化。

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一種氮化鋁燒結體(ti),其特(te)征在(zai)于包含1-10%(重(zhong)量)從周期表Ⅲa族元(yuan)素、Ca、Sr、Ba中選擇(ze)的少。

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華順系列陶瓷(ci)覆銅(tong)(tong)板(氮化鋁、氧化鋁、氮化硅)燒結爐廣(guang)泛應(ying)用於陶瓷(ci)覆銅(tong)(tong)板(DBC0在保護氣氛中的鍵合、熱處理等工(gong)序。設備針對陶瓷(ci)復合的特殊(shu)工(gong)藝(yi)特點設計(ji)了專有的。

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[圖文]3.2.5高(gao)壓設(she)備(bei)的高(gao)精度控制系統3.2.6腔(qiang)(qiang)體介質材料的選擇3.2.7加熱源石墨3.3高(gao)壓燒結(jie)腔(qiang)(qiang)體設(she)計(ji)3.4高(gao)壓燒結(jie)AlN陶瓷制備(bei)工藝流程3.4.1高(gao)壓燒結(jie)AlN。

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論(lun)(lun)文(wen)(wen)天下(xia)提供的(de)<AlN粉末(mo)的(de)制備(bei)、低(di)溫燒結及其(qi)注(zhu)射成形(xing)技術的(de)研究;論(lun)(lun)文(wen)(wen)包(bao)括(kuo)氮化鋁陶(tao)瓷(ci)材(cai)料(liao)注(zhu)射成形(xing)低(di)溫燒結復合(he)陶(tao)瓷(ci)制備(bei)低(di)溫燒結注(zhu)射等(deng)其(qi)他相關內容論(lun)(lun)文(wen)(wen)。

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本(ben)發明提供一種高(gao)純度(du)氮化鋁燒(shao)結體,其在氮化鋁燒(shao)結體制造時,有效地除去原(yuan)料粉(fen)末中所含(han)的氧化物,且(qie)通過(guo)原(yuan)料粉(fen)末中所含(han)的氧化物與燒(shao)結助(zhu)劑反應(ying)來(lai)防止(zhi)生成的復合氧化。

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3.2.5高壓(ya)設備的(de)高精度控制系統3.2.6腔體(ti)介(jie)質(zhi)材料的(de)選(xuan)擇3.2.7加(jia)熱(re)源石(shi)墨3.3高壓(ya)燒結腔體(ti)設計3.4高壓(ya)燒結AlN陶瓷制備工藝流(liu)程3.4.1高壓(ya)燒結AlN。

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熱壓燒結(jie)AlN陶瓷,以自蔓延高溫(wen)合成(SHS)的(de)AlN粉體為原料,以Y2O3-B2O3-CaF2和(he)YF3-B-CaF2系為燒結(jie)助(zhu)劑,采(cai)用熱壓燒結(jie)工(gong)藝制(zhi)備(bei)AlN陶瓷。結(jie)果(guo)表明,采(cai)用燒結(jie)助(zhu)劑,在。

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本論文探索(suo)了(le)(le)AlN陶瓷(ci)的(de)燒結(jie)(jie)技術,利(li)用本實驗室原位合成技術合成的(de)AlN粉末制備出了(le)(le)高致密,高導(dao)熱(re)的(de)AlN陶瓷(ci)。研究了(le)(le)AlN陶瓷(ci)的(de)常壓燒結(jie)(jie)技術。通過(guo)熱(re)力學條件和相圖的(de)。

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41、含碳的氮(dan)(dan)化(hua)(hua)鋁燒(shao)結體以(yi)及用于半導(dao)體制造檢測設備的陶瓷基材收錄(lu)氮(dan)(dan)化(hua)(hua)鋁陶瓷相關期刊文獻151項1、海門建成(cheng)氮(dan)(dan)化(hua)(hua)硅陶瓷基地(di)2、高(gao)壓氮(dan)(dan)氣(qi)中自蔓(man)延燃燒(shao)合成(cheng)氮(dan)(dan)化(hua)(hua)鋁。

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32CN00809591.4半(ban)導(dao)體(ti)加工(gong)設備(bei)(bei)的(de)(de)防腐組件及其制(zhi)造(zao)方法(fa)33CN02106821.6用于(yu)半(ban)導(dao)體(ti)和(he)功率(lv)模件的(de)(de)絕緣襯底(di)板(ban)34CN02115663.8放電(dian)等離子燒結法(fa)制(zhi)備(bei)(bei)氮化(hua)鋁透明陶瓷(ci)35。

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