SiC晶片的加工工程_百度知道
SiC單晶材(cai)料的(de)硬(ying)度及脆(cui)性(xing)大,且化學穩定(ding)性(xing)好(hao),故(gu)如何(he)獲得高平面精度的(de)無損傷晶片表面已成為(wei)其廣泛應(ying)用所必須(xu)解決的(de)重要問題。本論文采用定(ding)向切割(ge)晶片的(de)方法,分別研究了(le)。
SiC晶片加工工藝及其對晶片表面的損傷-中國論文下載_上學吧
摘要:SiC單(dan)(dan)晶(jing)的材質既硬(ying)且脆,加工(gong)(gong)難度很大。本文介紹了(le)加工(gong)(gong)SiC單(dan)(dan)晶(jing)的主要方(fang)法,闡述(shu)了(le)其加工(gong)(gong)原理、主要工(gong)(gong)藝參(can)數(shu)對加工(gong)(gong)精度及效率的影響,提(ti)出了(le)加工(gong)(gong)SiC單(dan)(dan)晶(jing)片今后(hou)。
SiC單晶片加工技術的發展_百度文庫
SiC機械密封環表面微(wei)織構激光加工(gong)工(gong)藝(yi)符永宏祖權紀敬虎(hu)楊東燕符昊摘要:采用聲(sheng)光調Q二極管泵(beng)浦(pu)Nd:YAG激光器,利用"單脈沖(chong)同點間隔多次"激光加工(gong)工(gong)藝(yi),。
俺的SIC-R-WildChalice狂野卡里斯
由(you)于(yu)SiC硬(ying)度非(fei)常高,對單晶后續的加工(gong)造成很多(duo)困難,包括(kuo)切(qie)割和磨拋.研究發現利用圖中顏色較深的是摻氮條紋,晶體生長45h.從上(shang)述(shu)移(yi)動坩堝(guo)萬(wan)方數(shu)據(ju)812半(ban)導體。
SiC單晶片加工技術的發展-《新技術新工藝》2009年06期
摘要:SiC陶瓷以其(qi)優異的(de)性能得到廣(guang)泛的(de)應用(yong)(yong),但是其(qi)難以加工的(de)缺(que)點限制(zhi)了應用(yong)(yong)范圍。本(ben)文對磨削方(fang)法(fa)加工SiC陶瓷的(de)工藝參數進行了探(tan)討(tao),其(qi)工藝參數為組合:粒度(du)w40#。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-《排灌機械工程學報》2012
2013年10月24日-LED半導體照明(ming)網訊日本上市公(gong)司薩姆肯(Samco)發布了新型(xing)晶(jing)片(pian)盒生產蝕(shi)刻系(xi)統(tong),處理SiC加工,型(xing)號為RIE-600iPC。系(xi)統(tong)主要應用在碳(tan)化硅功率(lv)儀器平面加工。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-豆丁網
2013年10月24日-日本上市公司薩姆(mu)肯(Samco)發(fa)布(bu)了新型晶片盒生產蝕刻(ke)系(xi)統,處理SiC加(jia)(jia)工(gong),型號為RIE-600iPC。系(xi)統主要(yao)應用(yong)在碳化硅功率(lv)儀器平面加(jia)(jia)工(gong)、SiCMOS結構槽刻(ke)。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-CrystalGrowthandRaw
金剛石線鋸SiC表面裂紋(wen)加工質量摘要:SiC是第三代半(ban)導體(ti)(ti)材料(liao)的核心之一(yi),廣泛用(yong)于(yu)制(zhi)作(zuo)電子器件,其加工質量和精度(du)直接影響(xiang)到器件的性能。SiC晶體(ti)(ti)硬(ying)度(du)高,。
SiC從外表顏色如何區分其SiC含量的高低-已解決-搜搜問問
采用(yong)聲光(guang)(guang)調Q二(er)極管泵浦Nd:YAG激(ji)光(guang)(guang)器,利用(yong)“單脈沖同點間隔多次”激(ji)光(guang)(guang)加工(gong)工(gong)藝,對碳化硅(gui)機(ji)械密封試樣(yang)端(duan)面(mian)進行激(ji)光(guang)(guang)表面(mian)微(wei)織構的加工(gong)工(gong)藝試驗研究.采用(yong)Wyko-NTll00表面(mian)。
SiC陶瓷的磨削加工工藝研究—《教育科學博覽》—2011年第12期—
共(gong)找到2754條符合-SiC的(de)(de)查詢結果。您(nin)可以在阿里巴(ba)巴(ba)公司黃頁搜索到關(guan)于-SiC生產(chan)商的(de)(de)工商注冊年(nian)份、員工人數、年(nian)營業額、信(xin)用記(ji)錄、相關(guan)-SiC產(chan)品的(de)(de)供求信(xin)息、交易記(ji)錄。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統
中國供應商(shang)免費(fei)提(ti)供各類sic碳(tan)化(hua)硅(gui)批發,sic碳(tan)化(hua)硅(gui)價格(ge),sic碳(tan)化(hua)硅(gui)廠家(jia)信息(xi),您(nin)也可(ke)以在這里免費(fei)展(zhan)示(shi)銷售sic碳(tan)化(hua)硅(gui),更有機會通過各類行業(ye)展(zhan)會展(zhan)示(shi)給需求方!sic碳(tan)化(hua)硅(gui)商(shang)機盡在。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統-企業新聞-首頁
金剛石多線切割設備在SiC晶(jing)片加(jia)工中的(de)應(ying)用ApplicationofMuti-DiamondWireSawtoSliceSiCCrystal查看全文(wen)(wen)下載全文(wen)(wen)導(dao)出(chu)添加(jia)到引用通(tong)知分享到。
金剛石線鋸切割SiC的加工質量研究-《山東大學》2010年碩士論文
[圖文(wen)]2011年(nian)3月(yue)17日-SiC陶瓷與(yu)鎳基(ji)高(gao)溫合(he)金的熱壓反應(ying)燒結(jie)連接段輝平李樹杰(jie)張(zhang)永剛(gang)劉(liu)深張(zhang)艷(yan)黨紫九劉(liu)登科摘要:采(cai)用(yong)Ti-Ni-Al金屬(shu)復合(he)焊料粉末,利用(yong)Gleeble。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-維普網-倉儲式在線作品
PCD刀(dao)具(ju)(ju)加工SiC顆粒(li)增強鋁基(ji)復(fu)合材料的(de)(de)公道切(qie)削速度(du)〔摘要〕通(tong)過用掃描電鏡等方式檢測PCD刀(dao)具(ju)(ju)的(de)(de)性能,并與自然金(jin)剛石(shi)的(de)(de)相(xiang)關(guan)參數進行比較,闡明了PCD刀(dao)具(ju)(ju)的(de)(de)優異(yi)性能。
-SiC公司_-SiC廠家_公司黃頁-阿里巴巴
石墨(mo)SiC/Al復(fu)合材料壓力浸滲(shen)力學性(xing)能(neng)加(jia)工(gong)性(xing)能(neng)關鍵詞:石墨(mo)SiC/Al復(fu)合材料壓力浸滲(shen)力學性(xing)能(neng)加(jia)工(gong)性(xing)能(neng)分類號:TB331正文快(kuai)照:0前言(yan)siC/。
sic碳化硅批發_sic碳化硅價格_sic碳化硅廠家其他磨具-中國供應商
[圖文(wen)]2012年11月29日-為了研究(jiu)磨(mo)削工(gong)藝參(can)數對SiC材料(liao)磨(mo)削質量的(de)影響規律,利用DMG銑磨(mo)加工(gong)做了SiC陶瓷平面磨(mo)削工(gong)藝實(shi)驗,分析(xi)研究(jiu)了包括(kuo)主軸轉速(su)、磨(mo)削深(shen)度(du)、進(jin)給速(su)度(du)在內(nei)的(de)。
金剛石多線切割設備在SiC晶片加工中的應用ApplicationofMuti-
研究方(fang)向:微(wei)(wei)納(na)(na)(na)設計與(yu)加(jia)工(gong)技(ji)(ji)術(shu)、SiCMEMS技(ji)(ji)術(shu)、微(wei)(wei)能(neng)源技(ji)(ji)術(shu)微(wei)(wei)納(na)(na)(na)設計與(yu)加(jia)工(gong)技(ji)(ji)術(shu)微(wei)(wei)納(na)(na)(na)米加(jia)工(gong)技(ji)(ji)術(shu):利用深(shen)刻蝕加(jia)工(gong)技(ji)(ji)術(shu),開發(fa)出適合于(yu)大規模加(jia)工(gong)的高精度(du)微(wei)(wei)納(na)(na)(na)復合結。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-大眾科技-道客巴巴
[圖文]SiC晶體生長和加工(gong)(gong)SiC是重要(yao)的(de)寬禁帶(dai)半導(dao)體,具(ju)有高熱(re)導(dao)率(lv)、高擊穿場強等特性和優(you)勢,是制作高溫、高頻、大功率(lv)、高壓以及(ji)抗輻射(she)電子器件(jian)的(de)理想材料(liao),在軍工(gong)(gong)、航天。
SiC是什么材料SiC是一種什么材料啊,他的加工性能怎樣樣?可以鉆孔
介簡單(dan)地(di)介紹(shao)了發光二極管的發展歷程,概述(shu)了LED用(yong)SiC襯底的超精密研磨技術(shu)(shu)的現狀及(ji)發展趨(qu)勢,闡述(shu)了研磨技術(shu)(shu)的原理、應用(yong)和優(you)勢。同(tong)時結合實驗(yan)室X61930B2M-6型。
SiC陶瓷與鎳基高溫合金的熱壓反應燒結連接-加工工藝-機電之家網
2012年6月6日(ri)-磨料是用于磨削加工和制(zhi)做磨具的一種基礎(chu)材料,普通磨料種類主要有(you)剛玉和1891年美國卡(ka)不(bu)倫登公司(si)的E.G艾(ai)奇(qi)遜(xun)用電阻爐人(ren)工合成并發(fa)明SiC。1893年。
PCD刀具加工SiC顆粒增強鋁基復合材料的公道切削速度_中國百科網
攪拌摩(mo)擦加工SiC復合(he)層對鎂合(he)金(jin)摩(mo)擦磨損性(xing)能的影響分(fen)享(xiang)到(dao):分(fen)享(xiang)到(dao)QQ空間收藏推薦鎂合(he)金(jin)是目(mu)前輕的金(jin)屬結構材料,具有密(mi)度(du)低、比強度(du)和比剛度(du)高、阻尼減震(zhen)性(xing)。
易加工儀表級SiC/Al復合材料的性能研究-《第十五屆全國復合材料
綜述了(le)半導(dao)體材料SiC拋(pao)光(guang)技術的發展,介(jie)紹了(le)SiC單(dan)晶(jing)片CMP技術的研(yan)究現狀,分析了(le)CMP的原理和工藝(yi)參數對拋(pao)光(guang)的影(ying)響,指出了(le)SiC單(dan)晶(jing)片CMP急(ji)待解決的技術和理論(lun)問題,并對其。
SiC陶瓷非球面磨削工藝實驗研究-中國磨料磨具網|磨料磨具協會
2005年(nian)在國(guo)內(nei)率先完成1.3m深(shen)焦比(bi)(bi)輕質非球(qiu)(qiu)面反射鏡(jing)的(de)研究工(gong)作,減重比(bi)(bi)達到(dao)65%,加工(gong)精度優(you)于17nmRMS;2007年(nian)研制成功(gong)1.1m傳輸型詳查相機SiC材(cai)料離軸(zhou)非球(qiu)(qiu)面主(zhu)鏡(jing),加工(gong)。
北京大學微電子學研究院
2013年2月21日-近日,三菱電機宣布(bu),開發出了能夠一次將一塊多晶(jing)碳(tan)化(hua)硅(SiC)錠切(qie)割成40片(pian)SiC晶(jing)片(pian)的多點放(fang)電線切(qie)割技(ji)術。據悉,該技(ji)術有望(wang)提高SiC晶(jing)片(pian)加工的生(sheng)產效率,。
SiC晶體生長和加工
加工圓孔(kong)(kong)孔(kong)(kong)徑范圍:200微(wei)米—1500微(wei)米;孔(kong)(kong)徑精(jing)度:≤2%孔(kong)(kong)徑;深寬(kuan)/孔(kong)(kong)徑比:≥20:1(3)飛秒激光數控機床的微(wei)孔(kong)(kong)加工工藝:解(jie)決戰略(lve)型(xing)CMC-SiC耐高溫材料(liao)微(wei)孔(kong)(kong)(直(zhi)徑1mm。
LED用SiC襯底的超精密研磨技術現狀與發展趨勢Situationand
衛(wei)輝市車(che)船機(ji)電有(you)限(xian)公司(si)csic衛(wei)輝市車(che)船機(ji)電有(you)限(xian)公司(si)是(shi)中國船舶重工集團公司(si)聯營是(shi)否(fou)提(ti)供加工/定制服務:是(shi)公司(si)成立(li)時間:1998年(nian)公司(si)注冊地(di):河南/。
關于磨料用途與深加工方面的分析和探討-磨料用途,棕剛玉,碳化硅-
[圖文]激(ji)光(guang)加工激(ji)光(guang)熔(rong)覆陶(tao)瓷涂層耐腐蝕性極化(hua)曲線關鍵字:激(ji)光(guang)加工激(ji)光(guang)熔(rong)覆陶(tao)瓷涂層耐腐蝕性極化(hua)曲線采用激(ji)光(guang)熔(rong)覆技術,在45鋼表面對含量(liang)不同的SiC(質量(liang)。
攪拌摩擦加工SiC復合層對鎂合金摩擦磨損性能的影響-《熱加工工藝
●自(zi)行(xing)研發(fa)了SiC晶片加工工藝:選取適當種類、粒(li)度、級(ji)配的磨料(liao)和加工設(she)備來(lai)切割、研磨、拋光(guang)、清洗和封裝的工藝,使(shi)產品達到了“即開即用”的水準。圖7:SiC晶片。
SiC單晶片CMP超精密加工技術現狀與趨勢Situationand
離軸非球面(mian)SiC反(fan)射鏡的(de)精密(mi)銑磨加工技(ji)術,張志宇(yu);李銳(rui)鋼;鄭立(li)功;張學軍;-機械工程學報2013年第17期在線(xian)閱(yue)讀、文章下載。<正;0前言(yan)1環繞地球軌道運(yun)行的(de)空間。
高精度非球面組件先進制造技術--中國科學院光學系統先進制造
2011年10月25日-加(jia)工電流非常小,Ie=1A,加(jia)工電壓為170V時,SiC是加(jia)工的,當Ti=500μs時,Vw=0.6mm3/min。另外(wai),Iwanek還得出了“臨界(jie)電火花(hua)加(jia)工限(xian)制(zhi)”。
三菱電機研制出多點放電線切割機-中國工業電器網
經營范(fan)圍:陶(tao)瓷(ci)軸承;陶(tao)瓷(ci)噴嘴(zui);sic密封件;陶(tao)瓷(ci)球;sic軸套;陶(tao)瓷(ci)生產(chan)(chan)加工(gong)機械;軸承;機械零部(bu)件加工(gong);密封件;陶(tao)瓷(ci)加工(gong);噴嘴(zui);噴頭;行業類(lei)別(bie):計算機產(chan)(chan)品。
“數控機床與基礎制造裝備”科技重大專項2013年度課題申報
因(yin)此,本文(wen)對IAD-Si膜(mo)層的微觀結(jie)構、表面形貌(mao)及抗熱振蕩(dang)性能進行了研究,這不僅對IAD-Si表面加工(gong)具有指(zhi)導意義(yi),也能進一步證明(ming)RB-SiC反射鏡表面IAD-Si改(gai)性技術的。