SiC晶片的加工工程_百度知道
SiC單晶材料的硬(ying)度及脆性大,且化學(xue)穩定(ding)性好,故如何獲(huo)得高平面精(jing)度的無損傷(shang)晶片表面已(yi)成為(wei)其廣泛應用(yong)所必(bi)須解(jie)決的重要問題。本論文采用(yong)定(ding)向切割(ge)晶片的方法,分別研(yan)究了。
SiC晶片加工工藝及其對晶片表面的損傷-中國論文下載_上學吧
摘(zhai)要(yao):SiC單晶的材質既硬且(qie)脆,加(jia)(jia)工難度很(hen)大。本文介(jie)紹了(le)加(jia)(jia)工SiC單晶的主要(yao)方法(fa),闡述(shu)了(le)其加(jia)(jia)工原理(li)、主要(yao)工藝參數對加(jia)(jia)工精(jing)度及效率的影響,提(ti)出了(le)加(jia)(jia)工SiC單晶片今(jin)后(hou)。
SiC單晶片加工技術的發展_百度文庫
SiC機(ji)械密封環表面微織構激(ji)光(guang)(guang)加(jia)工工藝符(fu)永宏(hong)祖權(quan)紀敬(jing)虎楊(yang)東燕(yan)符(fu)昊(hao)摘要:采用(yong)聲光(guang)(guang)調Q二極管泵浦Nd:YAG激(ji)光(guang)(guang)器,利用(yong)"單脈沖同點間隔多次"激(ji)光(guang)(guang)加(jia)工工藝,。
俺的SIC-R-WildChalice狂野卡里斯
由于SiC硬度非常高,對單晶后續的加工(gong)造成很多(duo)困難(nan),包括切割和磨拋.研究(jiu)發現利用(yong)圖中顏色較深(shen)的是摻氮條紋(wen),晶體生長45h.從上述移動(dong)坩(gan)堝萬方數據812半導(dao)體。
SiC單晶片加工技術的發展-《新技術新工藝》2009年06期
摘要:SiC陶(tao)瓷以(yi)其優異的(de)(de)性能得到廣泛(fan)的(de)(de)應用,但是其難以(yi)加(jia)工的(de)(de)缺點限制了應用范圍(wei)。本文對磨削(xue)方(fang)法加(jia)工SiC陶(tao)瓷的(de)(de)工藝參(can)數進行了探討,其工藝參(can)數為(wei)組合:粒度(du)w40#。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-《排灌機械工程學報》2012
2013年10月24日-LED半導體照明網(wang)訊日本(ben)上市(shi)公司薩(sa)姆肯(Samco)發布了新(xin)型(xing)晶片盒生產蝕(shi)刻系(xi)(xi)統(tong),處(chu)理SiC加工,型(xing)號為RIE-600iPC。系(xi)(xi)統(tong)主要應用在碳化硅(gui)功率儀器平(ping)面加工。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-豆丁網
2013年10月(yue)24日-日本(ben)上(shang)市公司薩姆肯(ken)(Samco)發布(bu)了新型(xing)晶片(pian)盒生(sheng)產蝕刻(ke)系(xi)統,處(chu)理SiC加工,型(xing)號為(wei)RIE-600iPC。系(xi)統主要應用在碳化硅功(gong)率儀器平面加工、SiCMOS結構槽刻(ke)。
SiC單晶生長及其晶片加工技術的進展-CrystalGrowthandRaw
金剛石線鋸SiC表面裂(lie)紋加(jia)工(gong)質量摘要:SiC是第三(san)代半(ban)導體(ti)材料的核心之一,廣泛用于制(zhi)作(zuo)電子器(qi)件,其加(jia)工(gong)質量和精度直(zhi)接影響到(dao)器(qi)件的性能。SiC晶體(ti)硬度高,。
SiC從外表顏色如何區分其SiC含量的高低-已解決-搜搜問問
采(cai)用(yong)(yong)聲(sheng)光調Q二極管泵浦Nd:YAG激(ji)(ji)光器(qi),利(li)用(yong)(yong)“單(dan)脈沖(chong)同點間隔多次”激(ji)(ji)光加(jia)工(gong)工(gong)藝,對碳化硅機械密封試樣端面(mian)進行激(ji)(ji)光表(biao)面(mian)微織(zhi)構(gou)的加(jia)工(gong)工(gong)藝試驗研究(jiu).采(cai)用(yong)(yong)Wyko-NTll00表(biao)面(mian)。
SiC陶瓷的磨削加工工藝研究—《教育科學博覽》—2011年第12期—
共找到2754條符合-SiC的(de)查(cha)詢結果(guo)。您可以(yi)在阿里巴(ba)巴(ba)公司(si)黃頁搜索到關于-SiC生產(chan)商的(de)工(gong)(gong)商注冊年(nian)份、員工(gong)(gong)人數(shu)、年(nian)營業額、信用記(ji)(ji)錄(lu)、相關-SiC產(chan)品的(de)供求信息、交易記(ji)(ji)錄(lu)。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統
中國供(gong)應(ying)商(shang)免費提供(gong)各(ge)類(lei)sic碳(tan)化硅(gui)批(pi)發,sic碳(tan)化硅(gui)價格(ge),sic碳(tan)化硅(gui)廠家信息,您也(ye)可(ke)以(yi)在(zai)這(zhe)里免費展示(shi)銷售sic碳(tan)化硅(gui),更(geng)有機(ji)會通過各(ge)類(lei)行(xing)業展會展示(shi)給需求方!sic碳(tan)化硅(gui)商(shang)機(ji)盡在(zai)。
日本薩姆肯公司推出新型SiC加工處理生產刻蝕系統-企業新聞-首頁
金(jin)剛石多線切(qie)割設備在SiC晶(jing)片加(jia)工中的應用(yong)(yong)ApplicationofMuti-DiamondWireSawtoSliceSiCCrystal查看全(quan)文(wen)下載全(quan)文(wen)導出添加(jia)到(dao)引用(yong)(yong)通(tong)知(zhi)分(fen)享(xiang)到(dao)。
金剛石線鋸切割SiC的加工質量研究-《山東大學》2010年碩士論文
[圖文]2011年(nian)3月17日-SiC陶瓷與鎳(nie)基(ji)高溫合(he)金的熱(re)壓(ya)反應燒結連接段(duan)輝平李(li)樹杰(jie)張(zhang)永剛(gang)劉深(shen)張(zhang)艷黨紫九劉登科(ke)摘要:采(cai)用Ti-Ni-Al金屬復(fu)合(he)焊料粉末,利用Gleeble。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-維普網-倉儲式在線作品
PCD刀具(ju)加工SiC顆粒增強鋁(lv)基復合材料的公道切削(xue)速度〔摘(zhai)要〕通過(guo)用掃描(miao)電(dian)鏡(jing)等方式檢測PCD刀具(ju)的性(xing)能,并與自然金剛石的相關參數進行比較,闡明了PCD刀具(ju)的優異性(xing)能。
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石墨SiC/Al復合材(cai)料壓(ya)(ya)力浸滲(shen)力學性(xing)能(neng)(neng)加(jia)工性(xing)能(neng)(neng)關鍵詞:石墨SiC/Al復合材(cai)料壓(ya)(ya)力浸滲(shen)力學性(xing)能(neng)(neng)加(jia)工性(xing)能(neng)(neng)分類號:TB331正文快照:0前(qian)言siC/。
sic碳化硅批發_sic碳化硅價格_sic碳化硅廠家其他磨具-中國供應商
[圖文(wen)]2012年11月29日-為(wei)了(le)研(yan)究(jiu)磨削工(gong)藝(yi)參數對SiC材料磨削質量(liang)的影響規律,利用DMG銑磨加工(gong)做了(le)SiC陶瓷平面(mian)磨削工(gong)藝(yi)實驗(yan),分析研(yan)究(jiu)了(le)包括主(zhu)軸轉(zhuan)速、磨削深(shen)度、進給速度在內的。
金剛石多線切割設備在SiC晶片加工中的應用ApplicationofMuti-
研究方向:微(wei)(wei)納(na)(na)設(she)(she)計(ji)與加(jia)(jia)工(gong)技(ji)術(shu)(shu)(shu)、SiCMEMS技(ji)術(shu)(shu)(shu)、微(wei)(wei)能源技(ji)術(shu)(shu)(shu)微(wei)(wei)納(na)(na)設(she)(she)計(ji)與加(jia)(jia)工(gong)技(ji)術(shu)(shu)(shu)微(wei)(wei)納(na)(na)米加(jia)(jia)工(gong)技(ji)術(shu)(shu)(shu):利用深(shen)刻(ke)蝕(shi)加(jia)(jia)工(gong)技(ji)術(shu)(shu)(shu),開發出(chu)適(shi)合于大規模加(jia)(jia)工(gong)的高精度微(wei)(wei)納(na)(na)復合結。
SiC機械密封環表面微織構激光加工工藝-大眾科技-道客巴巴
[圖文]SiC晶體(ti)生長和加工SiC是重要(yao)的寬(kuan)禁帶半導體(ti),具有高熱(re)導率、高擊穿(chuan)場強等特(te)性(xing)和優勢,是制作高溫、高頻、大(da)功率、高壓以(yi)及(ji)抗(kang)輻射電子器件的理(li)想材料(liao),在軍工、航天。
SiC是什么材料SiC是一種什么材料啊,他的加工性能怎樣樣?可以鉆孔
介簡單(dan)地介紹了(le)發光(guang)二極管的發展(zhan)歷程,概述了(le)LED用SiC襯底的超精密研磨技術的現狀及發展(zhan)趨勢,闡述了(le)研磨技術的原理、應用和優(you)勢。同時結(jie)合實(shi)驗(yan)室X61930B2M-6型。
SiC陶瓷與鎳基高溫合金的熱壓反應燒結連接-加工工藝-機電之家網
2012年(nian)6月6日-磨料是用(yong)于(yu)磨削加工(gong)和(he)制做磨具的(de)(de)一種基礎材料,普通磨料種類主要有剛(gang)玉和(he)1891年(nian)美國卡不倫(lun)登公司(si)的(de)(de)E.G艾奇(qi)遜用(yong)電阻爐人(ren)工(gong)合成并(bing)發明SiC。1893年(nian)。
PCD刀具加工SiC顆粒增強鋁基復合材料的公道切削速度_中國百科網
攪拌摩(mo)擦(ca)加工SiC復合層對鎂(mei)合金摩(mo)擦(ca)磨損性(xing)能的影響分(fen)享到:分(fen)享到QQ空間收藏(zang)推薦鎂(mei)合金是目前輕(qing)的金屬(shu)結構材料(liao),具(ju)有密度(du)低、比強度(du)和(he)比剛度(du)高、阻(zu)尼減震性(xing)。
易加工儀表級SiC/Al復合材料的性能研究-《第十五屆全國復合材料
綜述了(le)半導(dao)體(ti)材料SiC拋光技術(shu)的(de)(de)發展,介(jie)紹了(le)SiC單(dan)晶(jing)(jing)片CMP技術(shu)的(de)(de)研究(jiu)現狀,分析了(le)CMP的(de)(de)原(yuan)理(li)和工藝參數對拋光的(de)(de)影響,指出了(le)SiC單(dan)晶(jing)(jing)片CMP急待解決的(de)(de)技術(shu)和理(li)論問題,并對其。
SiC陶瓷非球面磨削工藝實驗研究-中國磨料磨具網|磨料磨具協會
2005年在國(guo)內(nei)率先(xian)完成1.3m深焦比(bi)輕(qing)質非球(qiu)面反射鏡的研(yan)究工(gong)作,減重(zhong)比(bi)達到65%,加工(gong)精度優于17nmRMS;2007年研(yan)制成功1.1m傳輸型詳查相機SiC材料離軸(zhou)非球(qiu)面主鏡,加工(gong)。
北京大學微電子學研究院
2013年2月(yue)21日-近日,三(san)菱電機宣布,開發出了能夠一(yi)次將一(yi)塊多晶(jing)碳化(hua)硅(SiC)錠切割成40片(pian)SiC晶(jing)片(pian)的(de)多點放電線切割技術。據悉,該技術有望(wang)提(ti)高SiC晶(jing)片(pian)加工的(de)生(sheng)產效率,。
SiC晶體生長和加工
加工圓(yuan)孔孔徑范圍(wei):200微(wei)米—1500微(wei)米;孔徑精度:≤2%孔徑;深寬/孔徑比:≥20:1(3)飛秒激光數控機床的(de)微(wei)孔加工工藝:解決戰略型CMC-SiC耐高溫材(cai)料微(wei)孔(直徑1mm。
LED用SiC襯底的超精密研磨技術現狀與發展趨勢Situationand
衛輝(hui)(hui)市(shi)車(che)船機電(dian)有(you)限(xian)公(gong)(gong)司csic衛輝(hui)(hui)市(shi)車(che)船機電(dian)有(you)限(xian)公(gong)(gong)司是(shi)中國船舶重工集團公(gong)(gong)司聯營是(shi)否(fou)提(ti)供加工/定制服務:是(shi)公(gong)(gong)司成立時(shi)間:1998年(nian)公(gong)(gong)司注(zhu)冊地:河(he)南/。
關于磨料用途與深加工方面的分析和探討-磨料用途,棕剛玉,碳化硅-
[圖文]激(ji)(ji)光(guang)(guang)加(jia)工(gong)激(ji)(ji)光(guang)(guang)熔覆(fu)陶瓷涂層(ceng)耐腐蝕(shi)性極化曲線(xian)關(guan)鍵(jian)字:激(ji)(ji)光(guang)(guang)加(jia)工(gong)激(ji)(ji)光(guang)(guang)熔覆(fu)陶瓷涂層(ceng)耐腐蝕(shi)性極化曲線(xian)采用激(ji)(ji)光(guang)(guang)熔覆(fu)技術,在45鋼(gang)表面對(dui)含量不(bu)同(tong)的SiC(質量。
攪拌摩擦加工SiC復合層對鎂合金摩擦磨損性能的影響-《熱加工工藝
●自(zi)行研(yan)發了SiC晶片加工(gong)工(gong)藝:選取適(shi)當種類、粒度、級配的磨(mo)料(liao)和加工(gong)設備來切割、研(yan)磨(mo)、拋(pao)光、清(qing)洗和封裝的工(gong)藝,使(shi)產品達到(dao)了“即(ji)開即(ji)用”的水準。圖(tu)7:SiC晶片。
SiC單晶片CMP超精密加工技術現狀與趨勢Situationand
離軸非球(qiu)面SiC反射鏡的(de)(de)精密銑磨加工(gong)(gong)技術,張志宇(yu);李銳(rui)鋼;鄭立(li)功(gong);張學軍;-機械(xie)工(gong)(gong)程(cheng)學報(bao)2013年(nian)第(di)17期在線閱(yue)讀、文章下載。<正;0前言1環繞地(di)球(qiu)軌道(dao)運行的(de)(de)空間(jian)。
高精度非球面組件先進制造技術--中國科學院光學系統先進制造
2011年10月(yue)25日(ri)-加工(gong)電流非常小(xiao),Ie=1A,加工(gong)電壓(ya)為170V時,SiC是加工(gong)的,當Ti=500μs時,Vw=0.6mm3/min。另外,Iwanek還得(de)出了“臨界電火花(hua)加工(gong)限(xian)制”。
三菱電機研制出多點放電線切割機-中國工業電器網
經營范(fan)圍:陶(tao)瓷軸承;陶(tao)瓷噴(pen)嘴;sic密封(feng)(feng)件;陶(tao)瓷球;sic軸套;陶(tao)瓷生產(chan)加(jia)(jia)工(gong)機(ji)械(xie);軸承;機(ji)械(xie)零部(bu)件加(jia)(jia)工(gong);密封(feng)(feng)件;陶(tao)瓷加(jia)(jia)工(gong);噴(pen)嘴;噴(pen)頭;行(xing)業類別:計算機(ji)產(chan)品。
“數控機床與基礎制造裝備”科技重大專項2013年度課題申報
因(yin)此,本文對IAD-Si膜(mo)層的(de)微觀結(jie)構(gou)、表(biao)(biao)面形貌及抗熱(re)振蕩(dang)性能(neng)進(jin)行了研(yan)究(jiu),這不僅對IAD-Si表(biao)(biao)面加工(gong)具有指(zhi)導意義,也能(neng)進(jin)一步證明(ming)RB-SiC反射鏡表(biao)(biao)面IAD-Si改性技術的(de)。