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大直徑碳(tan)化(hua)硅晶體生長工(gong)藝(yi)及(ji)設備(bei)技術編(bian)號(hao):TEC00011700號(hao):所屬行業:冶金(jin)[該行業投資商]成熟度:構思階(jie)段投資額度:面議轉(zhuan)讓方式:面議轉(zhuan)讓費:面議我。

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供應碳(tan)化(hua)硅微粉專用(yong)生(sheng)產設備(圖)是由(you)四川巨子超微科技有限(xian)公(gong)司提(ti)供,我公(gong)司專為(wei)碳(tan)化(hua)硅設計的專用(yong)加工設備,由(you)雷(lei)蒙磨加上(shang)氣流分級機組(zu)成。一次可出1-5個合格。

大直徑碳化硅晶體生長工藝及設備-陽泉科技網

冶煉工藝方(fang)法(fa)及設備技術1766項4盤X變功率(lv)送電冶煉碳化硅的方(fang)法(fa)194CN00116109.1V<sub;2</sub;O<sub;3</sub;電鋁熱法(fa)冶煉FeV<sub;80</sub;工藝195CN。

半導體碳化硅工藝流程技術專題-具有碳化硅-半導體工藝設備的襯套-

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9、3年(nian)以上碳化硅晶體生長工藝(yi)制定和(he)操(cao)作(zuo)經驗(yan),具有工廠生產和(he)管理經驗(yan)者優先。二、崗位職責:1、根(gen)據設備狀況制定工藝(yi)實(shi)驗(yan)并實(shi)施(shi);2、對操(cao)作(zuo)人員進行(xing)管理,確保(bao)實(shi)驗(yan)順利。

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微波碳化(hua)硅烘(hong)干(gan)(gan)(gan)設備是我(wo)公(gong)司研發(fa)、生產的化(hua)工(gong)烘(hong)干(gan)(gan)(gan)設備之一(yi)。其具(ju)有烘(hong)干(gan)(gan)(gan)速度快(kuai)(一(yi)般幾分鐘(zhong)可(ke)完(wan)成烘(hong)干(gan)(gan)(gan)過程)、時間短、實(shi)現流水化(hua)。

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有研究(jiu)者以Al2O3為添加(jia)劑,通過熱(re)壓燒結(jie)(jie)工藝,也實現了碳化硅(gui)的致密化,并認(ren)為其機理(li)是(shi)液相(xiang)燒結(jie)(jie)。此外(wai),還有研究(jiu)者分別以B4C、B或B與C,Al2O3和C、Al2O3和Y2O3。

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2008年12月(yue)29日-西安理工大學承(cheng)擔的陜(shan)西重大科技創新項(xiang)目(mu)“大直徑碳(tan)化硅晶體(ti)生(sheng)長(chang)工藝及設備(2005ZKC05-02)”于2008年12月(yue)24日通過驗收。由陜(shan)西省(sheng)科學技術(shu)廳(ting)會同省(sheng)。

碳化硅晶體生長工藝工程師,北京七星華創電子股份有限公司前程

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2006年7月6日(ri)-西安理工(gong)大學電子工(gong)程(cheng)系(xi)陳(chen)治明教(jiao)授(shou)承擔的陜西省重大科技創新項(xiang)目“大直徑碳化硅(gui)晶體生長工(gong)藝(yi)及設(she)備”進展順利,目前已用該課題組自(zi)(zi)行研(yan)制、具(ju)有自(zi)(zi)主(zhu)知識產權(quan)。

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陜西重大科技創新項目“大直徑碳化硅晶體生長工藝及設備”通過驗收

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陜西省重大科技創新項目:我校“大直徑碳化硅晶體生長工藝及設備”

[摘要]一種制(zhi)造單晶碳化(hua)硅(gui)薄膜的設備(bei),包括適于接受成膜用的SOI基材100的成膜利用本(ben)發明(ming)的方(fang)法制(zhi)備(bei)碳化(hua)硅(gui)納米(mi)棒,其工(gong)藝實施簡單、易于大批量生產、制(zhi)備(bei)溫度低。

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2011年6月14日-適合(he)于采用“新(xin)料法”生產工(gong)藝冶煉碳化硅。但是,太西煤灰分(fen)較高,一般在57、選(xuan)用低“鐵污染”破碎設備進行加工(gong)碳化硅作為產品銷售(shou)時,要對(dui)碳化硅。

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