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16高抑煙型阻燃劑納米氫(qing)氧化(hua)鎂(mei)的(de)制備(bei)及表面(mian)處理新方法(fa)17管式熱法(fa)煉鎂(mei)生產(chan)工藝(yi)及其(qi)設備(bei)18過(guo)氧化(hua)鎂(mei)的(de)制備(bei)方法(fa)19活(huo)性氫(qing)氧化(hua)鎂(mei)的(de)調(diao)整方法(fa)20間接輕燒。
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本發明涉及一種高(gao)溫超導材(cai)料(liao)氧化鎂(mei)單晶的生產(chan)方(fang)法和制(zhi)備設備,本發明的方(fang)法是通過(guo)以(yi)下步驟實現的:原(yuan)料(liao)制(zhi)作(zuo)(1):制(zhi)品處理(2);通過(guo)在周邊使用MGO96%以(yi)上重質氧化鎂(mei)材(cai)料(liao)。
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2005年3月3日(ri)-二、單晶氧(yang)(yang)化鎂常(chang)規生長技術(shu)單晶氧(yang)(yang)化鎂一般是在大功率,三相電弧爐(lu)熔(rong)制(zhi)(zhi),這種方(fang)法的(de)優點:生產量大,設備結(jie)構(gou)簡(jian)單。缺點是:由于石墨電極在熔(rong)制(zhi)(zhi)過程中進入。
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47利用硼泥生產(chan)氧化鎂單(dan)晶(jing)的(de)(de)方法(fa)48用TiO<sub;2</sub;超細粉焰熔法(fa)人(ren)工合(he)成(cheng)金(jin)紅石(shi)單(dan)晶(jing)的(de)(de)方法(fa)和設(she)備49一種(zhong)制備金(jin)屬合(he)金(jin)粉末(mo)的(de)(de)方法(fa)50硼酸鉍晶(jing)體的(de)(de)坩堝下降法(fa)。
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一種高溫超導材(cai)料氧化鎂(mei)單晶的生產方法,其特征(zheng)在于(yu):是(shi)通過以下步驟實(shi)現的:原料制作:礦(kuang)石(shi)-。
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9、低氧(yang)化(hua)鎂(mei)(mei)絕熱材料及其生(sheng)產方法10、低氧(yang)化(hua)鎂(mei)(mei)鎂(mei)(mei)硅鐵產品的生(sheng)產工(gong)藝(yi)和設備1125、利用(yong)硼泥(ni)生(sheng)產氧(yang)化(hua)鎂(mei)(mei)單(dan)晶的方法26、利用(yong)余熱爐內焙(bei)燒礦石(shi)制取電熔氧(yang)化(hua)鎂(mei)(mei)。
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13、硅(gui)(gui)(gui)基納米粉(fen)(fen)生產線輸粉(fen)(fen),收(shou)粉(fen)(fen)設備14、硅(gui)(gui)(gui)片和生產單(dan)晶硅(gui)(gui)(gui)的方法15、硅(gui)(gui)(gui)微粉(fen)(fen)和鋯55200310123644.1用礦熱爐生產低氧化鎂(mei)稀土鈣(gai)鎂(mei)硅(gui)(gui)(gui)鐵合金的冶煉(lian)工藝56。
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.0爐外預熱分解(jie)制(zhi)取(qu)電熔氧(yang)(yang)化(hua)(hua)鎂工藝及其設備1402107661.8氨全循環法生產(chan)氫氧(yang)(yang)化(hua)(hua)鎂和(he)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)鎂114200680009667.1單晶氧(yang)(yang)化(hua)(hua)鎂及其制(zhi)造(zao)方法115。
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172利用(yong)硼泥生產氧化(hua)(hua)鎂單晶的方(fang)法251一(yi)種(zhong)氧化(hua)(hua)鎂制備(bei)方(fang)法013一(yi)種(zhong)制取改性氫080低氧化(hua)(hua)鎂鎂硅鐵產品(pin)的生產工藝和設(she)備(bei)196真空煤(mei)炭(tan)熱還原氧化(hua)(hua)鎂礦提取金屬鎂。
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一(yi)種利用硼泥生產氧化鎂(mei)單晶的方法,將硼泥經300-600℃輕燒處理后,以(yi)1∶10-20的固液比(bi),液體為水,在壓力(li)罐中混(hun)合(he),通入來(lai)自石灰窯的二氧化碳氣,濃度為10-35%,。
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鈦(tai)酸鍶單晶基片上外(wai)延(yan)生長氧化(hua)鎂(mei)納米(mi)(mi)線的方法,涉(she)及(ji)微電子材料領域,特別涉(she)及(ji)應用于(yu)氧化(hua)物(wu)(氧化(hua)鎂(mei))-復合氧化(hua)物(wu)(鈦(tai)酸鍶)異質外(wai)延(yan)中納米(mi)(mi)線及(ji)其表面(mian)周期結構的制備方法。
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在單晶(jing)(jing)基板(ban)上形成第(di)三族氮化物外延層方法(fa)、制品(pin)及設備0008)GaN單晶(jing)(jing)生長(chang)方法(fa)、GaN商品(pin)名稱(cheng):基板(ban)單晶(jing)(jing)技術單晶(jing)(jing)氮化鎵單晶(jing)(jing)基板(ban)半(ban)導體氧化鎂生產(chan)資料剩余(yu)時間:。
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