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16高抑(yi)煙型阻燃劑納米氫(qing)氧化(hua)鎂(mei)的制(zhi)備(bei)及(ji)表面處(chu)理新方法(fa)(fa)17管式熱法(fa)(fa)煉鎂(mei)生產工(gong)藝及(ji)其設備(bei)18過氧化(hua)鎂(mei)的制(zhi)備(bei)方法(fa)(fa)19活性氫(qing)氧化(hua)鎂(mei)的調整(zheng)方法(fa)(fa)20間(jian)接輕燒。
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本(ben)(ben)發明涉及一種高溫超(chao)導材(cai)料(liao)氧化鎂單晶的(de)(de)生產(chan)方法(fa)和制備設備,本(ben)(ben)發明的(de)(de)方法(fa)是通過以(yi)下(xia)步驟實現的(de)(de):原料(liao)制作(1):制品(pin)處理(2);通過在周邊使用MGO96%以(yi)上(shang)重質氧化鎂材(cai)料(liao)。
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2005年3月3日-二、單晶(jing)氧化鎂(mei)常(chang)規生(sheng)長(chang)技(ji)術(shu)單晶(jing)氧化鎂(mei)一般是(shi)在大功(gong)率,三相電(dian)弧爐熔制(zhi),這種方法的優點(dian):生(sheng)產(chan)量大,設備結(jie)構簡單。缺(que)點(dian)是(shi):由(you)于石(shi)墨電(dian)極在熔制(zhi)過程中進入。
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47利用硼(peng)泥(ni)生產(chan)氧(yang)化鎂單晶的(de)方法(fa)48用TiO<sub;2</sub;超(chao)細粉(fen)焰熔法(fa)人工合(he)成金(jin)紅石單晶的(de)方法(fa)和設備49一(yi)種制(zhi)備金(jin)屬合(he)金(jin)粉(fen)末的(de)方法(fa)50硼(peng)酸鉍晶體的(de)坩堝下降(jiang)法(fa)。
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9、低(di)(di)氧(yang)化(hua)鎂絕熱材料及其生(sheng)產(chan)(chan)方法10、低(di)(di)氧(yang)化(hua)鎂鎂硅鐵產(chan)(chan)品的生(sheng)產(chan)(chan)工(gong)藝和設備1125、利用硼(peng)泥生(sheng)產(chan)(chan)氧(yang)化(hua)鎂單晶(jing)的方法26、利用余(yu)熱爐內焙(bei)燒礦石制(zhi)取電(dian)熔(rong)氧(yang)化(hua)鎂。
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2012年8月21日-注(zhu)意:本站(zhan)開(kai)通貨到付(fu)款業務(wu)!詳(xiang)情請登(deng)陸(lu)發財致富網(wang)查(cha)詢:地址:山(shan)東濟南科技市場(chang)628-10號電(dian)話:0531-手機(ji)咨詢1.由菱(ling)鎂(mei)礦聯合生產硫酸(suan)鎂(mei)、碳酸(suan)鎂(mei)。
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13、硅(gui)基納米粉(fen)生產(chan)線輸(shu)粉(fen),收(shou)粉(fen)設(she)備14、硅(gui)片(pian)和生產(chan)單晶硅(gui)的(de)方(fang)法15、硅(gui)微粉(fen)和鋯55200310123644.1用礦(kuang)熱爐生產(chan)低氧化鎂稀土鈣鎂硅(gui)鐵合金的(de)冶煉工藝(yi)56。
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.0爐外預熱分解制(zhi)取電熔氧化鎂(mei)(mei)工(gong)藝及其(qi)設備(bei)1402107661.8氨全循環法生產氫氧化鎂(mei)(mei)和氧化鎂(mei)(mei)114200680009667.1單晶氧化鎂(mei)(mei)及其(qi)制(zhi)造方(fang)法115。
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172利用硼泥生產(chan)氧(yang)化(hua)(hua)鎂(mei)單(dan)晶的方(fang)法(fa)251一(yi)種氧(yang)化(hua)(hua)鎂(mei)制備方(fang)法(fa)013一(yi)種制取(qu)改性(xing)氫080低氧(yang)化(hua)(hua)鎂(mei)鎂(mei)硅鐵產(chan)品的生產(chan)工藝和設備196真空煤炭熱還(huan)原(yuan)氧(yang)化(hua)(hua)鎂(mei)礦提取(qu)金屬(shu)鎂(mei)。
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一種利用硼(peng)泥生產氧(yang)化鎂單晶(jing)的方法(fa),將硼(peng)泥經300-600℃輕燒(shao)處(chu)理后(hou),以1∶10-20的固液比,液體(ti)為水,在壓力罐中混合,通入來自(zi)石灰窯的二氧(yang)化碳氣,濃(nong)度為10-35%,。
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鈦(tai)酸鍶單晶基片上外延生長氧化(hua)(hua)(hua)鎂納(na)米(mi)線(xian)的(de)方(fang)法(fa)(fa),涉及(ji)微電子材料領域,特別涉及(ji)應用于氧化(hua)(hua)(hua)物(氧化(hua)(hua)(hua)鎂)-復合氧化(hua)(hua)(hua)物(鈦(tai)酸鍶)異質外延中納(na)米(mi)線(xian)及(ji)其表面周期(qi)結構(gou)的(de)制(zhi)備方(fang)法(fa)(fa)。
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在單晶基板上(shang)形(xing)成第三族(zu)氮(dan)化(hua)物外延(yan)層方法、制品(pin)及(ji)設備0008)GaN單晶生(sheng)長(chang)方法、GaN商(shang)品(pin)名稱:基板單晶技術單晶氮(dan)化(hua)鎵單晶基板半導體氧化(hua)鎂(mei)生(sheng)產(chan)資料剩余時間:。
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