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SiC粉末化學鍍Cu工藝研究(3)_劍心_新浪博客

Cu復合粉體金相(xiang)顯微圖,亮白色(se)的(de)為(wei)碳(tan)化硅顆(ke)粒(li),顆(ke)粒(li)周圍的(de)暗灰色(se)層(ceng)為(wei)包覆的(de)銅層(ceng),從圖3.8和圖3.9可以看出:140目粉末鍍覆質量相(xiang)對較高(gao),墨綠色(se)的(de)SiC顆(ke)粒(li)上。

pH值對碳化硅粉體表面鍍鎳的影響-《表面技術》2013年02期

摘要:對碳化(hua)(hua)硅表面進(jin)行化(hua)(hua)學(xue)(xue)鍍(du)(du)鎳,研究(jiu)了鍍(du)(du)液的pH值對鍍(du)(du)速(su)、鍍(du)(du)層組(zu)織(zhi)及形貌(mao)9丁莉莉;化(hua)(hua)學(xue)(xue)鍍(du)(du)法制(zhi)備(bei)Cu-Si復合(he)粉體工藝研究(jiu)[D];中國海洋大(da)學(xue)(xue);2009年10。

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2008年10月22日-納米碳化硅(gui)粉體(ti)2009-10-2210:47性能特點本產品(pin)純度高、粒(li)徑小、分布均勻,比(bi)表(biao)面(mian)積(ji)大、高表(biao)面(mian)活性,松(song)裝密度低,具有極(ji)好的力學、熱學、電學和。

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報告(gao)導讀:本報告(gao)從國際超(chao)細碳化硅粉體發展、國內超(chao)細碳化硅粉體政(zheng)策環境及發展、研發動態、進(jin)出口情況(kuang)、生(sheng)產企(qi)業(ye)、存在的問題(ti)及對策等多方面多角度闡述了超(chao)細碳化硅。

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2011-2016年中國超細碳化硅粉體行業當前現狀及未來趨勢發展預測報告

五金、工具(ju)磨料供應(ying)碳化硅微粉(fen)國標[詳細內容]1.工程陶(tao)瓷(ci)用(yong)微粉(fen):1)噴嘴等(deng)高溫(wen)窯(yao)具(ju)微粉(fen)反(fan)應(ying)燒結(jie)粉(fen):F240,F1200,W10,W14,W282)方(fang)梁等(deng)重(zhong)結(jie)晶(jing)用(yong)粉(fen):RR100。

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納米碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui),超細碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)粉通過特殊工藝方法制(zhi)備,具有純度高(gao)(gao)(gao),粒徑分布范圍(wei)小,高(gao)(gao)(gao)比(bi)表面(mian)積(ji);納米碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)具有化(hua)學性能穩定,導熱系數(shu)(shu)高(gao)(gao)(gao)(165W/M.K),熱膨脹系數(shu)(shu)小,硬度高(gao)(gao)(gao),。

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[摘要]本發明涉及一(yi)種以酵母粉為造孔劑(ji)的(de)碳化硅基(ji)體之基(ji)底的(de)機械(xie)產品,其外表(biao)面還具有一(yi)氧化鋁覆(fu)層。從而獲(huo)得高體積分數的(de)SiCp/Cu復合材料。本發明能夠。

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玉慶,作明,劉敏,周本濂,師昌緒.碳纖維涂覆碳化硅的研究[j].復合

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金屬粉體包覆技術文獻集,檢索,查詢,中國網,中國

摘要:對碳化硅表面進(jin)行化學鍍鎳(nie),研究了(le)鍍液的(de)pH值(zhi)對鍍速、鍍層組織及形貌的(de)影響。結果表明(ming):鍍液pH值(zhi)低于8.5時,無反應發(fa)生,粉。

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為(wei)改善SiC與金屬的結合(he)性,分別(bie)采用(yong)化學鍍法(fa)和非均相(xiang)(xiang)沉淀(dian)法(fa)制(zhi)備(bei)Cu包裹(guo)SiC顆粒復合(he)粉體。通(tong)過XRD衍(yan)射分析得出以(yi)上兩(liang)種包裹(guo)方法(fa)都(dou)可以(yi)得到(dao)大部分包裹(guo)著(zhu)Cu相(xiang)(xiang)的SiC顆粒,。

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控制(zhi)的一些(xie)主要(yao)(yao)方法(fa),綜述了目前(qian)幾種主要(yao)(yao)金屬粉(fen)末(Au,Ag,Pd,Pt,Cu,Fe,Co,Ni納(na)(na)(na)米(mi)碳化(hua)硅粉(fen)末納(na)(na)(na)米(mi)金屬顆粒納(na)(na)(na)米(mi)金剛石粉(fen)納(na)(na)(na)米(mi)細粉(fen)納(na)(na)(na)米(mi)鐵粉(fen)納(na)(na)(na)米(mi)銅(tong)粉(fen)納(na)(na)(na)米(mi)級。

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分析(xi)時間(jian)從24小時減到30min,但對Ca、Cr、Cu、Mg、Mn、Ti、V要克服(fu)方法(fa)的1姚永生;;電感耦合等離子體(ti)原子發射光譜法(fa)測(ce)定碳化硅中雜質元素[J];冶(ye)金分析(xi)。

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3用天然高嶺(ling)土(tu)制備碳(tan)化(hua)硅晶(jing)(jing)須/氧(yang)化(hua)鋁復(fu)合(he)陶瓷粉的(de)g161200580024384.X覆(fu)銅、抑制晶(jing)(jing)須生成的(de)方法、212200780014522.5晶(jing)(jing)須得(de)到(dao)抑制的(de)Cu-Zn合(he)金耐熱。

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746-BG28813一(yi)種氮化硅(gui)/碳化硅(gui)多(duo)孔陶瓷(ci)的制備方法(fa)747-BG28813激光熔(rong)覆制備801-BG28813納米ZrO2(Y2O3)/Cu復(fu)合功能陶瓷(ci)材料(liao)的制備方法(fa)802-BG28813一(yi)種。

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