金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金屬氧化物碳化硅避雷(lei)器(qi)電(dian)力電(dian)纜電(dian)壓響應過沖保護性(xing)能(neng)殘壓測試回路相近(jin)似電(dian)流脈沖。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈沖激(ji)光(guang)(guang)退火納米碳(tan)化(hua)硅(gui)的光(guang)(guang)致(zhi)發光(guang)(guang)于威,何杰,孫(sun)運濤,韓理(li),在(zai)(zai)電流激(ji)發方面存(cun)在(zai)(zai)較大困難,因此對碳(tan)化(hua)硅(gui)發光(guang)(guang)材料的制備(bei)及發光(guang)(guang)特性進行分析對。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河(he)北大學碩士學位論文納(na)米碳化硅的脈沖(chong)激光燒蝕沉(chen)積及其光學特(te)性研(yan)究姓名:孫運(yun)濤(JFET,可達(da)到(dao)電(dian)流(liu)水平400mA/mm,電(dian)導的指(zhi)標lOOmS/mm)以及用6H—SiC制(zhi)作的金屬。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年(nian)5月9日-1998年(nian)已有頻(pin)率1.3GHz,脈(mo)沖輸出功率400W的報道[;。2.2碳化硅功率雙極與碳化硅功率MOS相(xiang)比,對3000V以上的阻斷電壓,其通(tong)態電流密度可以高出幾個。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖文]2007年5月28日-從(cong)而具有非常高(gao)的浪(lang)涌電流承受(shou)能(neng)力(li)和(he)穩(wen)定的過壓中(zhong)的PFC級(ji)應用(yong)在瞬時脈沖(chong)和(he)過壓狀態下具有更高(gao)利用(yong)具有獨特性(xing)能(neng)的碳(tan)化(hua)硅作為(wei)器件材料,能(neng)制造出(chu)。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-應用-電子工程世界網
高頻脈沖(chong)電(dian)(dian)鍍(du)Ni-Co-SiC耐(nai)蝕性(xing)耐(nai)磨性(xing)陽極(ji)極(ji)化(hua)結(jie)構研究(jiu)了電(dian)(dian)源(yuan)頻率、占空比、陰極(ji)電(dian)(dian)流密度及鍍(du)液中鈷1袁逖(ti);高頻脈沖(chong)電(dian)(dian)沉積鎳(nie)鈷碳化(hua)硅鍍(du)層耐(nai)蝕性(xing)耐(nai)磨。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正采用(yong)60m長的(de)(de)138kV電(dian)(dian)力電(dian)(dian)纜產生的(de)(de)幾十(shi)萬伏、2萬安以上的(de)(de)電(dian)(dian)流、波頭(tou)時間約50ns的(de)(de)脈沖(chong)。被試(shi)品為(wei)9kV金屬氧化(hua)物及(ji)碳化(hua)硅避雷器。避雷器的(de)(de)電(dian)(dian)壓響(xiang)應包(bao)括陡的(de)(de)過沖(chong)電(dian)(dian)壓。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年1月30日-美國陸(lu)軍研究人員正在向行業(ye)尋求開發進的(de)碳(tan)化硅(gui)(SiC)半導體(ti)功率電(dian)子技術種高(gao)等級配(pei)置的(de)高(gao)壓開關(guan),脈沖電(dian)壓15000V,小電(dian)壓10000V,電(dian)流峰值30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采用XeCl準分(fen)子(zi)脈沖激(ji)光(guang)(guang)退(tui)火技術制備(bei)了納米(mi)晶態碳化硅薄膜(mo)(nc—SiC),并(bing)對薄膜(mo)的光(guang)(guang)致發光(guang)(guang)(PL)特性(xing)進行了分(fen)析。結果表(biao)明,納米(mi)SiC薄膜(mo)的光(guang)(guang)致發光(guang)(guang)表(biao)現為300-600nm.范圍。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖文]V為驅(qu)動(dong)脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)壓,驅(qu)動(dong)電(dian)(dian)流為脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)流.V為驅(qu)動(dong)脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)壓,驅(qu)動(dong)電(dian)(dian)流為脈(mo)沖(chong)電(dian)(dian)流.收藏此頁推(tui)薦給好友09-23[技(ji)術資訊]碳化(hua)硅在高(gao)溫范圍內(nei)具有(you)低(di)開關(guan)損耗的MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖文(wen)]這種改進的(de)(de)過壓(ya)和(he)浪涌電流能力可(ke)以使二(er)極管(guan)的(de)(de)壓(ya)力減小(xiao),使應用具(ju)有(you)更高的(de)(de)可(ke)靠性。SiC肖特基二(er)極管(guan)——適(shi)合各種供(gong)電條件(jian)(jian)的(de)(de)解(jie)決方案利用具(ju)有(you)獨特性能的(de)(de)碳化硅作為器件(jian)(jian)。
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論文天下提供的(de)<高頻(pin)脈(mo)沖電沉(chen)積(ji)鎳鈷(gu)碳化硅(gui)鍍(du)層耐(nai)蝕(shi)性(xing)(xing)耐(nai)磨性(xing)(xing)的(de)研究;論文包括(kuo)高頻(pin)脈(mo)沖電鍍(du)Ni-Co-SiC耐(nai)蝕(shi)性(xing)(xing)耐(nai)磨性(xing)(xing)陽極極化結(jie)構(gou)等其他相關內容論文。
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諸暨(ji)市特耐工程(cheng)陶瓷有(you)限公司碳化(hua)硅脈沖類(lei)型:脫(tuo)硫除(chu)塵器林格曼黑度(du):3級品牌:帕特納型號:碳化(hua)硅噴嘴脫(tuo)硫率(lv):97(%)除(chu)塵率(lv):96(%)阻力損失:-(Pa),環球貿易(yi)網為您提供。
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2010年8月17日-0405SC-2200M碳(tan)化(hua)(hua)硅晶體管(guan),射(she)頻峰值功率(lv)(lv)達2200瓦,可用于大功率(lv)(lv)超高(gao)頻脈(mo)沖系統的另一些(xie)優點(dian)包括簡(jian)化(hua)(hua)阻抗匹配,125伏的操縱電(dian)壓,低電(dian)導電(dian)流(liu),高(gao)峰值。
碳化硅脈沖
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料(liao)界面的微觀結構(gou)與性能研(yan)究袁明,黃(huang)政仁,董紹明,朱云洲,江東亮中(zhong)國科學院(yuan)上海(hai)硅酸鹽研(yan)究所,上海(hai)200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河北大學(xue)(xue)碩士學(xue)(xue)位論文納(na)米碳化硅的脈沖(chong)(chong)激光燒(shao)蝕沉積(ji)及(ji)其光學(xue)(xue)特性(xing)研(yan)究姓名:孫運濤申(shen)請學(xue)(xue)位級別(bie):碩士專業:光學(xue)(xue)指導教師:于(yu)威20030101摘要本工(gong)作采用脈沖(chong)(chong)激光。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年1月30日-美國陸(lu)軍研究人員正在向行業尋求開發進的碳化硅(SiC)半導(dao)體功率電子(zi)技術種高等級配置的高壓開關,脈沖電壓15000V,小(xiao)電壓10000V,電流峰值30A,。
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[圖文]從而(er)具有(you)非常高的(de)浪涌(yong)電流承(cheng)受能力和(he)穩定的(de)過(guo)壓特性。網中(zhong)的(de)PFC級應用(yong)在瞬時脈沖和(he)過(guo)壓狀(zhuang)態下具有(you)更高的(de)利用(yong)具有(you)獨特性能的(de)碳化(hua)硅作為器件材料(liao),能制造(zao)出(chu)接近。
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通過激光脈(mo)沖波形與光電(dian)流(liu)脈(mo)沖波形的比較,估算出(chu)2種光導開關的載流(liu)子(zi)壽命和(he)載流(liu)子(zi)的基礎上(shang)改進設(she)計(ji),研(yan)制出(chu)了工作電(dian)壓超(chao)過10kV、工作電(dian)流(liu)超(chao)過90A的碳化硅光導。
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鄭州嵩陽機(ji)(ji)械有(you)限公(gong)司提供多種型號的碳化硅脈(mo)沖(chong)除塵設(she)(she)備(bei),廠家直接(jie)供貨價格優(you)勢明顯,本公(gong)司提供的碳化硅脈(mo)沖(chong)除塵設(she)(she)備(bei),高品質♂碳化硅脈(mo)沖(chong)除塵設(she)(she)備(bei)♀只(zhi)有(you)嵩陽機(ji)(ji)械。
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影響碳化硅光導開關小導通電阻的因素-論文摘要-中國光學期刊網
2008年(nian)9月26日-這(zhe)些測(ce)試包括使(shi)用1祍脈沖,開關時間(jian)比為1000,在“開”狀態驅動(dong)電(dian)流是100本文鏈接(jie):碳(tan)化(hua)硅電(dian)子(zi):全球協會提倡(chang)SiC高(gao)頻PI:/news。
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[圖文]GaN器件包(bao)含(han)五項重要特征:高介電(dian)強度(du)(du)、高工作溫(wen)度(du)(du)、大電(dian)流密度(du)(du)、高開關速度(du)(du),如何在高效脈沖(chong)跳頻(pin)模式下選擇輸出濾波(1)智能電(dian)視前進路(lu)上的三座。
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1200V增強型碳化硅縱向結型場效應晶體管功率(lv)模塊《電力電子》2011年第(di)4期開關測試采用了標準的雙脈(mo)沖感性(xing)負載電路(lu),在600V、100A、溫度分別為(wei)25℃和150。
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[圖文]2012年4月16日(ri)-既能滿足電(dian)子模塊的正常工(gong)作電(dian)流(圖1中(zhong)的If),也能承受ISO7637-2脈沖[新品(pin)快訊(xun)]美(mei)(mei)高森(sen)美(mei)(mei)推出碳化硅(SiC)材(cai)料(liao)和技術的全新1200V肖(xiao)特基二(er)極管。
碳化硅超細磨|碳化硅專用磨|碳化硅微粉磨|脈沖除塵器-金屬硅磨粉_
[圖文]標(biao)簽:600509石墨烯碳化硅背景資料老孟(meng)股票具有電(dian)荷(he)這(zhe)種性質,電(dian)荷(he)的傳導能夠形(xing)成(cheng)電(dian)流并成(cheng)為電(dian)子采用脈沖電(dian)子輻照技術(shu)在(zai)SiC基底上外延石墨烯是我(wo)們。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二(er):電流互感器(qi)(qi)保(bao)(bao)護用于(yu)(yu)保(bao)(bao)護電流互感器(qi)(qi)即CTPU.典(dian)型應用于(yu)(yu)互感器(qi)(qi)二(er)次(ci)過壓保(bao)(bao)護,此類電阻片的(de)靈活性使(shi)其得(de)到廣范應用,可用于(yu)(yu)熒光燈的(de)尖峰脈(mo)沖抑制(zhi)(直徑(jing)為26mm的(de)。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從損壞的避(bi)雷器閥片來看,這些(xie)避(bi)雷器的閥片所(suo)用的碳化硅比較松散,多半是(shi)這根電(dian)線(xian)有脈沖電(dian)流渡過,這時,測(ce)定在(zai)配(pei)電(dian)線(xian)路的導體上(shang)感應的電(dian)壓(ya)波形。相應的。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年8月21日(ri)-尤其是(shi)碳化硅微粉(fen)磨的(de)生產加工中,粉(fen)塵(chen)外泄問題為(wei)嚴重,上海(hai)卓(zhuo)亞礦山機械有(you)限(xian)公司研究者為(wei)其進(jin)行相應的(de)分析與設備的(de)改造實驗,終得出(chu)使用脈沖除塵(chen)器的(de)。
M&I碳化硅非線性放電電阻_電子元器件_電阻器_壓敏電阻器_產品庫_
[圖文]2011年8月4日-現在還有許(xu)多公司在用不同的(de)基底(如藍寶石和碳(tan)化硅)生產(chan)(chan)GaNLED,這些LED該電路的(de)基本(ben)功能是產(chan)(chan)生低頻、快速、大(da)功率(lv)驅動電流脈沖信號,輸(shu)出脈沖的(de)。
什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答
2013年(nian)7月22日-1998年(nian)已(yi)有(you)頻率1.3GHz,脈(mo)沖輸出功率400W的(de)報道[;。2.2碳化硅功率雙極開發(fa)碳化硅BJT的(de)主要(yao)問題是提(ti)高(gao)電流增(zeng)益(yi)(yi)。早期6H-SiCBJT的(de)電流增(zeng)益(yi)(yi)只有(you)10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
脈(mo)沖袋式除(chu)塵(chen)器(qi),分號機,粉(fen)碎(sui)機,氣(qi)流磨,青島精華PZ粉(fen)碎(sui)機的用(yong)途及(ji)適應(ying)范圍:化工等物科(ke)的粉(fen)碎(sui),尤其適用(yong)于碳化硅(gui)、剛玉(yu)、石(shi)英、烙煉石(shi)英、石(shi)餾(liu)石(shi)等物科(ke)的粉(fen)碎(sui)。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳(tan)化硅顆粒(li)化學鍍(du)鎳對鐵基復合材料(liao)性能的影響張躍波1,宗亞平1,曹(cao)新建(jian)1,張龍21.東北(bei)大(da)學材料(liao)各向異性與織構(gou)教育部實(shi)驗室(shi)沈陽1108192.金策工業綜合。