金屬氧化物及碳化硅避雷器對陡波頭長波電流脈沖的響應-《電瓷
金屬氧(yang)化(hua)物碳化(hua)硅避雷器電(dian)力電(dian)纜電(dian)壓響應(ying)過沖(chong)保護性(xing)能殘壓測試回路(lu)相近似(si)電(dian)流脈沖(chong)。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光-豆丁網
2005脈沖激光退火(huo)納米碳(tan)化硅的光致(zhi)發(fa)光于威(wei),何杰,孫運濤,韓(han)理,在電流激發(fa)方面存在較大困難,因此對碳(tan)化硅發(fa)光材料的制備及發(fa)光特性進行分析對。
脈沖電沉積納米鎳一碳化硅復合鍍層的性能_百度文庫
河北大(da)學(xue)碩士學(xue)位論(lun)文納米碳(tan)化硅的脈沖激光(guang)燒蝕(shi)沉積及其光(guang)學(xue)特性研究(jiu)姓名:孫運濤(JFET,可達到(dao)電流水平400mA/mm,電導(dao)的指(zhi)標(biao)lOOmS/mm)以及用6H—SiC制作的金屬。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究-碩士論文-道
2008年5月(yue)9日(ri)-1998年已有頻(pin)率1.3GHz,脈沖輸出(chu)功(gong)(gong)率400W的(de)報道[;。2.2碳(tan)化硅功(gong)(gong)率雙極與碳(tan)化硅功(gong)(gong)率MOS相比,對(dui)3000V以(yi)上的(de)阻斷電(dian)壓,其通態(tai)電(dian)流密度(du)可(ke)以(yi)高出(chu)幾個。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
[圖(tu)文]2007年(nian)5月28日-從而具有非(fei)常高(gao)的(de)(de)浪涌電流(liu)承受(shou)能力和(he)穩定的(de)(de)過(guo)壓中(zhong)的(de)(de)PFC級應用在瞬時脈(mo)沖和(he)過(guo)壓狀態(tai)下具有更(geng)高(gao)利用具有獨特(te)性能的(de)(de)碳化硅作為(wei)器件材(cai)料,能制(zhi)造(zao)出。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-應用-電子工程世界網
高頻脈沖(chong)電(dian)鍍Ni-Co-SiC耐(nai)蝕(shi)性(xing)(xing)耐(nai)磨(mo)性(xing)(xing)陽極極化結構研究了電(dian)源頻率、占空(kong)比、陰極電(dian)流密度(du)及鍍液(ye)中鈷1袁逖;高頻脈沖(chong)電(dian)沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐(nai)蝕(shi)性(xing)(xing)耐(nai)磨(mo)。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-《北京交通
正采用60m長(chang)的(de)(de)138kV電(dian)(dian)力電(dian)(dian)纜(lan)產(chan)生的(de)(de)幾十萬(wan)伏、2萬(wan)安以上的(de)(de)電(dian)(dian)流、波頭(tou)時間約50ns的(de)(de)脈沖(chong)。被(bei)試品為9kV金屬氧化物及碳化硅避雷(lei)器。避雷(lei)器的(de)(de)電(dian)(dian)壓響應包括陡的(de)(de)過沖(chong)電(dian)(dian)壓。
碳化硅避雷器-學術百科-知網空間
2013年1月30日-美國陸軍研究人(ren)員(yuan)正(zheng)在向行(xing)業尋求開發進的(de)碳化硅(SiC)半導體功率電(dian)(dian)子技術種(zhong)高等級配置的(de)高壓開關,脈沖電(dian)(dian)壓15000V,小電(dian)(dian)壓10000V,電(dian)(dian)流峰值30A,。
美國陸軍尋求下一代碳化硅軍用高壓開關設備-中新網
采用XeCl準(zhun)分(fen)子脈沖激光(guang)退火技(ji)術制備了納米晶態碳化硅薄(bo)膜(nc—SiC),并對薄(bo)膜的(de)光(guang)致發光(guang)(PL)特(te)性進(jin)行了分(fen)析。結果(guo)表(biao)明,納米SiC薄(bo)膜的(de)光(guang)致發光(guang)表(biao)現為300-600nm.范(fan)圍。
脈沖激光退火納米碳化硅的光致發光
[圖(tu)文]V為(wei)驅動脈沖(chong)電(dian)(dian)(dian)壓,驅動電(dian)(dian)(dian)流(liu)為(wei)脈沖(chong)電(dian)(dian)(dian)流(liu).V為(wei)驅動脈沖(chong)電(dian)(dian)(dian)壓,驅動電(dian)(dian)(dian)流(liu)為(wei)脈沖(chong)電(dian)(dian)(dian)流(liu).收藏此頁推薦給好友(you)09-23[技術(shu)資訊]碳化(hua)硅在高溫范圍內具(ju)有低開關損耗(hao)的MOSFE。
紅外發光二極管的直流脈沖電流驅動_電路圖-華強電子網
[圖文(wen)]這種(zhong)改(gai)進(jin)的(de)(de)過壓和浪涌電流(liu)能(neng)力可以使(shi)二極管的(de)(de)壓力減小(xiao),使(shi)應用(yong)具有(you)更高的(de)(de)可靠性(xing)。SiC肖特基(ji)二極管——適合各種(zhong)供電條件(jian)的(de)(de)解決(jue)方(fang)案利(li)用(yong)具有(you)獨(du)特性(xing)能(neng)的(de)(de)碳(tan)化(hua)硅作為器件(jian)。
適合各種電源應用的碳化硅肖特基二極管-新品推薦-行業資訊==
論文(wen)(wen)天下提(ti)供的(de)(de)<高(gao)頻(pin)脈沖電(dian)沉積鎳鈷碳化硅鍍(du)層耐蝕性耐磨性的(de)(de)研(yan)究;論文(wen)(wen)包括高(gao)頻(pin)脈沖電(dian)鍍(du)Ni-Co-SiC耐蝕性耐磨性陽極極化結(jie)構等其他相關(guan)內容論文(wen)(wen)。
高頻脈沖電沉積鎳鈷碳化硅鍍層耐蝕性耐磨性的研究-收費碩士博士
諸(zhu)暨(ji)市特耐工程陶瓷有限公司碳化(hua)硅(gui)脈沖(chong)類型:脫(tuo)硫除塵器林格曼黑(hei)度:3級品牌:帕(pa)特納(na)型號:碳化(hua)硅(gui)噴嘴脫(tuo)硫率(lv):97(%)除塵率(lv):96(%)阻力損失:-(Pa),環球(qiu)貿易網為您提供。
脈沖激光退火納米碳化硅薄膜的拉曼散射研究RamanSpectraof
2010年8月17日-0405SC-2200M碳化(hua)(hua)硅晶體管,射頻(pin)(pin)峰值(zhi)功(gong)率(lv)(lv)達2200瓦,可用于大功(gong)率(lv)(lv)超高頻(pin)(pin)脈(mo)沖系統(tong)的(de)另(ling)一些優點(dian)包括(kuo)簡化(hua)(hua)阻抗匹(pi)配,125伏的(de)操(cao)縱電(dian)壓(ya),低電(dian)導電(dian)流,高峰值(zhi)。
碳化硅脈沖
溫度(du)脈(mo)沖方(fang)法制(zhi)備(bei)碳/碳化硅(gui)復(fu)合材料界面(mian)的微觀結構(gou)與(yu)性能(neng)研(yan)究袁明,黃(huang)政仁,董紹(shao)明,朱云(yun)洲,江東(dong)亮中國科(ke)學院(yuan)上(shang)海(hai)硅(gui)酸鹽研(yan)究所(suo),上(shang)海(hai)200050。
Microsemi公司推出用于大功率超高頻脈沖雷達的碳化硅晶體管_兵器
河(he)北大(da)學(xue)(xue)碩(shuo)士學(xue)(xue)位(wei)(wei)論文納米碳化硅的脈沖(chong)激光燒(shao)蝕(shi)沉(chen)積(ji)及其(qi)光學(xue)(xue)特(te)性研究姓名:孫運濤申請學(xue)(xue)位(wei)(wei)級別:碩(shuo)士專業(ye):光學(xue)(xue)指(zhi)導教(jiao)師:于威20030101摘要本工作(zuo)采(cai)用脈沖(chong)激光。
溫度脈沖方法制備碳/碳化硅復合材料界面的微觀結構與性能研究
2013年1月30日-美國陸(lu)軍研究人員正在向(xiang)行業尋求(qiu)開發進的碳化硅(SiC)半導(dao)體功率(lv)電子技術種高等(deng)級配置的高壓(ya)開關,脈沖電壓(ya)15000V,小電壓(ya)10000V,電流峰值30A,。
納米碳化硅的脈沖激光燒蝕沉積及其光學特性研究.pdf-畢業論文-
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[圖文]從而具(ju)有非(fei)常高的(de)(de)浪涌(yong)電流承受能(neng)(neng)力和穩定的(de)(de)過壓特性(xing)。網中的(de)(de)PFC級應用在瞬時脈(mo)沖和過壓狀態下具(ju)有更高的(de)(de)利用具(ju)有獨特性(xing)能(neng)(neng)的(de)(de)碳化硅(gui)作(zuo)為(wei)器件材(cai)料,能(neng)(neng)制造出接近。
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通過激光脈沖(chong)(chong)波(bo)形與光電流脈沖(chong)(chong)波(bo)形的(de)(de)比較,估算出2種光導開關的(de)(de)載流子壽命和載流子的(de)(de)基礎上改進設計,研制出了工作電壓超過10kV、工作電流超過90A的(de)(de)碳化硅(gui)光導。
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鄭州嵩陽機械有(you)限公(gong)司提供(gong)(gong)多種型號的(de)碳化硅(gui)脈(mo)沖除(chu)塵設(she)備,廠家直接供(gong)(gong)貨(huo)價(jia)格優勢明顯,本公(gong)司提供(gong)(gong)的(de)碳化硅(gui)脈(mo)沖除(chu)塵設(she)備,高品質(zhi)♂碳化硅(gui)脈(mo)沖除(chu)塵設(she)備♀只有(you)嵩陽機械。
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影響碳化硅光導開關小導通電阻的因素-論文摘要-中國光學期刊網
2008年9月(yue)26日(ri)-這些測試包括(kuo)使用1祍脈沖,開(kai)關時間比為1000,在“開(kai)”狀態(tai)驅動電流是(shi)100本文鏈接:碳(tan)化硅(gui)電子:全球(qiu)協會提倡SiC高頻PI:/news。
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[圖文(wen)]GaN器件包含五項重要(yao)特征(zheng):高介電強(qiang)度(du)、高工(gong)作溫度(du)、大電流密度(du)、高開(kai)關速(su)度(du),如何在高效脈沖跳頻模式下選擇輸(shu)出濾(lv)波(1)智能電視(shi)前(qian)進路上的三座。
碳化硅袋式脈沖除塵器技術,脈沖除塵設備美化高手-選礦設備_買賣
1200V增(zeng)強型(xing)碳(tan)化硅縱(zong)向(xiang)結型(xing)場效應晶(jing)體管功率模塊《電(dian)力(li)電(dian)子》2011年第(di)4期開(kai)關測試采用了(le)標準的雙脈沖感性負載(zai)電(dian)路(lu),在600V、100A、溫度分別為25℃和(he)150。
碳化硅電子:全球協會提倡SiC高頻PIN二極管-產業縱橫-行業資訊-
阿里巴(ba)巴(ba)大(da)量(liang)供(gong)應(ying)碳化(hua)硅(gui)超細磨碳化(hua)硅(gui)專用磨碳化(hua)硅(gui)微粉磨脈沖(chong)除塵器-金屬硅(gui)磨粉,,這(zhe)里云集了眾多的供(gong)應(ying)商(shang)(shang),采購(gou)商(shang)(shang),制(zhi)造商(shang)(shang)。這(zhe)里大(da)量(liang)供(gong)應(ying)碳化(hua)硅(gui)超細磨碳化(hua)硅(gui)專用磨。
硅氮化鎵碳化硅如何為功率設計尋找的工藝和供應商(2)-
請撥(bo)打-67897956咨詢綠(lv)碳化硅脈沖(chong)除塵器,我公司還(huan)常年現貨供(gong)應本公司相關產(chan)品碳化硅微粉磨價(jia)格,超(chao)細粉碎機價(jia)格,氣流分(fen)(fen)號(hao)機價(jia)格,閃(shan)蒸干(gan)燥設備價(jia)格,內(nei)分(fen)(fen)級超(chao)細磨。
1200V增強型碳化硅縱向結型場效應晶體管功率模塊-維普網-倉儲
[圖文]2012年(nian)4月16日-既(ji)能滿(man)足(zu)電(dian)子(zi)模(mo)塊的正(zheng)常(chang)工(gong)作(zuo)電(dian)流(liu)(圖1中(zhong)的If),也能承受ISO7637-2脈沖[新品快訊(xun)]美高森美推出碳(tan)化硅(gui)(SiC)材料和技術的全新1200V肖特基二極管。
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[圖文]標(biao)簽(qian):600509石墨烯碳化硅背(bei)景資料老孟(meng)股票(piao)具有(you)電(dian)荷這種性質,電(dian)荷的傳(chuan)導能夠形成(cheng)電(dian)流并成(cheng)為電(dian)子(zi)采(cai)用(yong)脈沖(chong)電(dian)子(zi)輻照技術在(zai)SiC基底(di)上外延石墨烯是我(wo)們。
綠碳化硅脈沖除塵器工作原理,脈沖除塵器發展適生_鄭州嵩陽
二:電流(liu)互感器(qi)(qi)保(bao)護(hu)用于保(bao)護(hu)電流(liu)互感器(qi)(qi)即(ji)CTPU.典(dian)型應用于互感器(qi)(qi)二次過壓保(bao)護(hu),此類電阻(zu)片(pian)的(de)靈活性使(shi)其得到廣范應用,可用于熒光燈的(de)尖峰脈(mo)沖抑制(zhi)(直徑為26mm的(de)。
ISO7637-2脈沖3b-根據雪崩性能選擇肖特基二極管-電子發燒友網
(3)從損壞的避(bi)雷(lei)器閥(fa)片來看,這些避(bi)雷(lei)器的閥(fa)片所用的碳化(hua)硅比(bi)較松散,多半是這根電(dian)線有脈(mo)沖(chong)電(dian)流渡過,這時,測定在(zai)配電(dian)線路的導(dao)體上感(gan)應(ying)(ying)的電(dian)壓(ya)波形。相應(ying)(ying)的。
600509:石墨烯碳化硅項目的背景資料_孟利寧_新浪博客
2013年(nian)8月(yue)21日(ri)-尤其是碳(tan)化硅微粉(fen)(fen)磨(mo)的(de)生產加工中,粉(fen)(fen)塵外泄問題為嚴重,上海(hai)卓亞礦山機械有(you)限公司(si)研究者為其進行相應的(de)分析與設備的(de)改造實驗,終得(de)出使用脈沖除塵器(qi)的(de)。
M&I碳化硅非線性放電電阻_電子元器件_電阻器_壓敏電阻器_產品庫_
[圖文]2011年8月(yue)4日(ri)-現在還(huan)有(you)許多公(gong)司在用不同的基底(di)(如藍(lan)寶石(shi)和碳化硅)生(sheng)產GaNLED,這些(xie)LED該電路的基本功能是(shi)產生(sheng)低頻、快速、大功率驅動電流脈(mo)沖信號,輸出脈(mo)沖的。
什么是工頻電流?工頻是什么意思?_工程_技術_科技_機械_天涯問答
2013年7月22日-1998年已有頻率(lv)1.3GHz,脈(mo)沖輸(shu)出(chu)功率(lv)400W的報道[;。2.2碳化(hua)(hua)硅功率(lv)雙極開發碳化(hua)(hua)硅BJT的主要問題是提高電(dian)流(liu)增益。早期6H-SiCBJT的電(dian)流(liu)增益只(zhi)有10。
碳化硅微粉磨應用脈沖除塵器凈化環境效果好
脈沖袋式(shi)除塵器,分號機,粉(fen)碎機,氣流磨,青島精華(hua)PZ粉(fen)碎機的用途及適應范圍:化工(gong)等物(wu)科(ke)的粉(fen)碎,尤(you)其適用于碳化硅、剛玉、石英、烙(luo)煉石英、石餾石等物(wu)科(ke)的粉(fen)碎。
詳解大功率藍光LED光源驅動電路設計方案-中國LED網資訊
碳化(hua)硅顆粒化(hua)學鍍(du)鎳(nie)對鐵基復合(he)材料(liao)性能的影響張躍波1,宗(zong)亞(ya)平1,曹新建1,張龍21.東北大學材料(liao)各向異(yi)性與織構(gou)教育部實驗室沈陽(yang)1108192.金策工業綜合(he)。