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沖旋制粉機組對硅粉的提純效果-期刊論文-道客巴巴

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摘要:沖旋制(zhi)硅粉(fen)技術運用(yong)其選擇性粉(fen)碎(sui)的功能(neng),使硅粉(fen)的品(pin)位比硅原(yuan)料高,產品(pin)增(zeng)(zeng)值,卻沒(mei)有增(zeng)(zeng)高成本(ben)。作者單位:浙江永博硅業有限公司;浙江省冶金研(yan)究院;。

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2013年8月(yue)3日-以(yi)硅塊為(wei)質料制取硅粉的(de)辦法許多。其間作用較(jiao)好、使用較(jiao)多的(de)是雷(lei)(lei)蒙(meng)法,對(dui)輥(gun)法、盤(pan)磨(mo)法和沖旋(xuan)法。所(suo)用設(she)備相應(ying)是雷(lei)(lei)蒙(meng)法、對(dui)輥(gun)機(ji)、盤(pan)磨(mo)機(ji)(也稱立磨(mo))。

沖旋制粉機組對硅粉的提純效果-《有機硅材料》2011年04期

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采(cai)取硅粉溶解法,以(yi)(yi)氫(qing)氧(yang)化(hua)鈉(na)作催化(hua)劑制備硅溶膠。通過(guo)正交實(shi)驗,找出的實(shi)驗方案,即反應溫(wen)度為65-90℃,反應時間為8h,即可制得SiO2含量在30%以(yi)(yi)上,收率在80%以(yi)(yi)上。

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硅粉溶解法制備硅溶膠的新工藝-《哈爾濱師范大學自然科學學報》

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發現使用(yong)旋涂摻雜(za)的(de)方法來制(zhi)備(bei)n+發射極,其方塊電阻都受到這(zhe)三個條件的(de)影響。且(qie)SOD薄膜在加熱后形成了(le)Si02薄膜。并且(qie)研究了(le)SOD薄膜的(de)減反射特性,發現其具(ju)有一定。

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本發明公(gong)開(kai)了一種利用脈(mo)石英制(zhi)備高(gao)(gao)純超細硅(gui)微粉的方(fang)(fang)法,該方(fang)(fang)法包括先把脈(mo)石英煅燒、水淬后(hou),用高(gao)(gao)壓擺式磨粉機(ji)(雷(lei)蒙機(ji))研磨成0.5-5微米的粉體后(hou),再提純制(zhi)得高(gao)(gao)純。

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旋涂法制備n+發射極和非晶硅薄膜等離激元增強光吸收的研究-豆丁網

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利用脈石英制備高純超細硅微粉的方法_百度搜索

SEM和TEM分(fen)析表明(ming),在酸性環(huan)境中水解后制(zhi)得的(de)納米碳化硅(gui)粉分(fen)散性好,粒度均勻;而在堿性環(huan)境中水解制(zhi)得的(de)碳化硅(gui)粉團聚程度高。分(fen)類。

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以含粘土硅藻土為原料,通過(guo)物理提(ti)純(chun)(包括擦洗(xi)、磨(mo)礦(kuang)、沉(chen)降(jiang)分離)可制(zhi)得精土;精仇山酸化鈣基膨潤土的(de)(27)Al和(he)(29)Si魔(mo)角旋轉核磁共振譜及脫色率研(yan)究[J。

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水制硅砂硅粉。硅粉系列-中國供應商

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硅粉溶解法制備硅溶膠的新工藝-《哈爾濱師范大學自然科學學報》

用熱(re)壓(ya)燒(shao)結(HotPressedSintering,HPS.SiC)工藝(yi)可以制得接近理(li)論密度(其(qi)氣孔率低(di)于沖2通(tong)過低(di)壓(ya)燒(shao)結得到晶粒度為350nm的超細硬質WC.Co,其(qi)抗彎強度為3810。

以蔗糖為碳源制備納米碳化硅粉影響因素的研究-維普網-倉儲式

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