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一(yi)種用四(si)氯化硅與液氨在有機溶劑界面反應生成硅亞胺,然后將其(qi)(qi)加(jia)熱分解制得氮化硅粉末的方法及設(she)備,其(qi)(qi)特(te)。
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101136305納米(mi)級氮(dan)化(hua)(hua)硅復合(he)材料發熱(re)體及(ji)制作工藝[摘要(yao)]本發明是對氮(dan)化(hua)(hua)硅發熱(re)$902158760低壓燃燒合(he)成氮(dan)化(hua)(hua)硅或氮(dan)化(hua)(hua)硅鐵的方(fang)法(fa)及(ji)設備[摘要(yao)]低壓燃燒合(he)成。
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22.氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)發熱體(ti)(ti)及(ji)(ji)其(qi)制造(zao)方法(fa)(fa)23.氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)發熱裝(zhuang)置24.氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)粉(fen)(fen).其(qi)燒結(jie)體(ti)(ti).基板.及(ji)(ji)由此(ci)的電(dian)路板和熱電(dian)元(yuan)件模(mo)塊25.氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)粉(fen)(fen)末的制造(zao)方法(fa)(fa)26.氮(dan)化(hua)(hua)硅(gui)(gui)粉(fen)(fen)末的制造(zao)方法(fa)(fa)及(ji)(ji)設備。
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2第(di)三節(jie)(jie):3第(di)四節(jie)(jie):4第(di)四章(zhang):氮化(hua)硅晶(jing)須主要生(sheng)(sheng)產(chan)工藝(yi)詳述節(jie)(jie):氮化(hua)硅晶(jing)須生(sheng)(sheng)產(chan)工藝(yi)流程圖節(jie)(jie):氮化(hua)硅晶(jing)須生(sheng)(sheng)產(chan)原材料及設備1.生(sheng)(sheng)產(chan)。
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一種制造高純度超細(xi)氮化硅(gui)的方法及(ji)設(she)備,其特征是(shi)硅(gui)烷(wan)和氨氣的氣相化學(xue)反應(ying)是(shi)在立式雙溫區流(liu)(liu)態反應(ying)器3中進行,該反應(ying)器流(liu)(liu)態床底部設(she)有不銹鋼制造的分(fen)配板31,載(zai)體。
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[圖(tu)文]25、氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)粉末的制造(zao)方法26、氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)粉末的制造(zao)方法及設備27、氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)粉體α相轉(zhuan)相裝置28、氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)工程陶瓷燒結新工藝29、氮(dan)(dan)化(hua)硅(gui)(gui)(gui)和碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)一維納(na)米結構及其制備方法30。
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氮化硅(gui)的(de)生產方(fang)法劉佩珠摘(zhai)要:正本介紹的(de)Si_3N_4的(de)生產方(fang)法如(ru)下(xia):采(cai)用固體二硫化硅(gui)與氣態氨(an)反應,溫度控(kong)制在800～1450℃,回收(shou)無定形(xing)Si_3N_4。。
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在亞微米的(de)(de)生(sheng)產制造技術中,氮(dan)化硅工藝的(de)(de)particle已經成為產品良率的(de)(de)主要影響(xiang)因素。本文主要針(zhen)對立式LPCVD氮(dan)。
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2012年(nian)9月19日(ri)-2CN02100873.6一種(zhong)制(zhi)造電池的燒結鎘負極的方法及其制(zhi)造產品(pin)3CN70CN86100384氮(dan)化(hua)硅工程陶瓷燒結新(xin)工藝71CN86106840熱窯燒結設備與(yu)。
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[圖文]摘要(yao):摘要(yao):研究了等(deng)離子增(zeng)強化(hua)學氣(qi)相淀積(PECVD)工藝中(zhong)射頻(pin)條件(功率(lv)和頻(pin)率(lv))對氮化(hua)硅薄膜(mo)(mo)應力的影響。對于(yu)不同射頻(pin)條件下薄膜(mo)(mo)的測(ce)試結果表明:低(di)頻(pin)(LF)時氮化(hua)硅。
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氮(dan)化硅(gui)收集(ji)(ji)平臺,涉及多晶(jing)硅(gui)生產(chan)設備(bei)領域,尤其是涉及多晶(jing)硅(gui)生產(chan)中氮(dan)化硅(gui)的收集(ji)(ji)臺,一(yi)種移除氮(dan)化硅(gui)層的方法,此方法系(xi)首(shou)先提供一(yi)晶(jing)圓,其中晶(jing)圓上已形(xing)成有一(yi)氮(dan)化硅(gui)層。
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7-BG520氮(dan)化(hua)硅只(zhi)讀存儲器(qi)的結構(gou)與制(zhi)造(zao)方(fang)法(fa)8-BG520低壓(ya)燃燒合(he)成氮(dan)化(hua)硅或氮(dan)化(hua)硅鐵的方(fang)法(fa)及(ji)設備9-BG520利(li)用原子層沉(chen)積法(fa)形成氮(dan)化(hua)硅間(jian)隙壁的方(fang)法(fa)10-BG520密封。
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[圖(tu)文(wen)]本文(wen)主要針對立式LPCVD氮化(hua)硅爐管(guan)的氮化(hua)硅制造工藝中所遇到(dao)particle問(wen)題進行(xing)研究。通(tong)過(guo)大量(liang)的對比性實(shi)驗進行(xing)排查與分析(xi),并利用各種(zhong)先進的實(shi)驗的設備和(he)器(qi)材找到(dao)產生。
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第四(si)(si)節主(zhu)要生產(chan)設備情(qing)況介(jie)紹第四(si)(si)章2011-2013年中(zhong)國(guo)碳(tan)化(hua)硅結合(he)氮化(hua)硅磚市場圖(tu)(tu)表:碳(tan)化(hua)硅結合(he)氮化(hua)硅磚理(li)化(hua)性(xing)質一覽(lan)圖(tu)(tu)圖(tu)(tu)表:碳(tan)化(hua)硅結合(he)氮化(hua)硅磚生產(chan)工藝流程。
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河(he)南(nan)科技(ji)大學畢業設(she)計(論文)I噴涂工(gong)藝對(dui)氮化硅涂層品(pin)質的影響摘要鑄造因此容易在(zai)制造工(gong)藝中受石英、石墨(mo)、設(she)備以及管道等(deng)的沾污。坩(gan)堝的使用一方面提高。
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通過(guo)幾(ji)年不(bu)斷技術創新,工藝優(you)化,積累了(le)豐富的氮化合(he)金(jin)生(sheng)(sheng)產經驗。公司擁有三個生(sheng)(sheng)產車間,十幾(ji)臺國內先(xian)進(jin)的氮化物產品生(sheng)(sheng)產設(she)備,建立了(le)完發聯(lian)系信合(he)肥(fei)開爾納米。
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本廠以“業潤社(she)會”為經營理(li)念,憑著國(guo)內的(de)生產(chan)設備,全體員(yuan)工努(nu)力(li)進(jin)取,銳意采用先進(jin)的(de)氣(qi)壓、熱(re)等(deng)靜壓燒結工藝(yi),批量生產(chan)氮化(hua)硅(Si3N4)、氧(yang)化(hua)鋯(gao)(ZrO2)。
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技(ji)術難(nan)題:1.生產氮(dan)化硅(gui)錳(meng)從(cong)技(ji)術上采(cai)用普(pu)通硅(gui)錳(meng)和普(pu)通硅(gui)鐵作為(wei)原料,工藝上采(cai)用物(wu)料5.所用的臥式(shi)推板(ban)窯等加熱設備利用電(dian)感應加熱方式(shi),在微(wei)正壓下工作,省去了(le)真空。
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公司簡介北京金(jin)海虹氮化硅有限公司是高(gao)新技術企業,開(kai)發、生(sheng)產(chan)高(gao)技術氮化硅結合(he)先(xian)進的(de)生(sheng)產(chan)設備(bei),獨(du)特的(de)生(sheng)產(chan)工藝,完善的(de)檢(jian)測手段,科學的(de)管理體系,2005年(nian)5月獲得。
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你(ni)可能要查找:陶瓷生產加工(gong)機械機械及行業(ye)設備詳細信息產品(pin)規格:產品(pin)數量(liang)用這種現代先進工(gong)藝(yi)制成的特種陶瓷產品(pin)具有密度高(gao)且均勻,尺寸精度高(gao)等優點。氮化硅。
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北京金(jin)海虹(hong)氮(dan)化(hua)硅有限(xian)公司簡(jian)介北京金(jin)海虹(hong)氮(dan)化(hua)硅有限(xian)公司自主研發、生產高科技材料‘氮(dan)化(hua)硅結合碳(tan)化(hua)硅制(zhi)品’,以獨特的制(zhi)造工藝(yi)于(yu)國內外同行業水平,為(wei)有色(se)金(jin)屬行業。
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高純氮(dan)化硅粉體(用于晶硅生產坩堝噴涂(tu)粉末)使用方(fang)法發布日期:2011-11-01分離設(she)備(bei)物(wu)性測試儀(yi)器(qi)生命科學(xue)儀(yi)器(qi)實驗(yan)箱體/安(an)全箱水質、水分檢測。
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制作燒結鋁礬(fan)土粉的(de)(de)設備《礬(fan)土技術分析鋁礬(fan)土,均勻度,氮(dan)化(hua)硅,反(fan)應(ying)催(cui)化(hua)劑(ji),剛玉陶瓷,》43-BG192114一種變截面隧道窯(yao)煅燒高鋁礬(fan)土的(de)(de)方法44-BG192114礬(fan)土面礦脫水。
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,經過多年(nian)的研制、創新(xin),研發出(chu)全新(xin)的陶(tao)瓷配方以(yi)及一體化(hua)高純(chun)氮化(hua)硅陶(tao)瓷生產工藝。高純(chun)氮化(hua)硅陶(tao)瓷熱(re)面(mian)發熱(re)體燃(ran)氣設備(bei)用熱(re)面(mian)發熱(re)體高純(chun)氮化(hua)硅陶(tao)瓷電熱(re)塞柴油(you)。
高純氮化硅粉體(用于晶硅生產坩堝噴涂粉末)使用方法-阿凡達-全國
并(bing)提出了對(dui)(dui)比(bi)分析的(de)(de)方法,在(zai)通過專業設備檢測的(de)(de)基礎上對(dui)(dui)成品球(qiu)(qiu)球(qiu)(qiu)度(du)、表面粗糙度(du)研究(jiu)結果表明,氮化硅陶瓷球(qiu)(qiu)能夠批量生(sheng)產且(qie)球(qiu)(qiu)度(du)達到0.062μm以下,表面粗糙度(du)達到。
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反應燒結工(gong)藝生(sheng)產的氮化(hua)硅(gui)使用壽命很(hen)短(duan),材料存在很(hen)多氣(qi)孔,長期(qi)鋁(lv)液(ye)會滲入;抗熱震用于冶金、化(hua)工(gong)、紡織、印刷、包裝、食(shi)品機械、電爐(lu)設(she)備、電力容器、變壓(ya)器等(deng)。
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氮(dan)化硅(gui)及(ji)其制品(pin)生產工藝配方技術資料舉報此商(shang)品(pin)商(shang)品(pin)主圖(tu)收藏商(shang)品(pin)已有058302158760.4低(di)壓燃燒合(he)成氮(dan)化硅(gui)或氮(dan)化硅(gui)鐵的方法及(ji)設備58402158676.4。
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種(zhong)更(geng)可靠的(de)(de)半導體裝置和顯示裝置的(de)(de)高產量(liang)制造技(ji)術(shu)且未使用于制造的(de)(de)設備和方法(fa)作(zuo)為在有機化(hua)合(he)物(wu)中所含的(de)(de)無機材料,可以(yi)使用氧化(hua)硅(gui)、氮化(hua)硅(gui)、氧氮化(hua)硅(gui)、氮。
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經(jing)營模式:生(sheng)產(chan)廠家主營產(chan)品:氮化金屬粉末特種合金焊條(tiao)粉劑合金粉工商(shang)公(gong)司運用自己的科(ke)研成果,采用先進的設備(bei)和工藝技(ji)術(shu)進行各(ge)類高純硅精(jing)細化加。