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25氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)粉末的(de)制造(zao)方法26氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)粉末的(de)制造(zao)方法及設備27氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)粉體α相(xiang)轉相(xiang)裝置(zhi)28氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)工(gong)程陶瓷燒結新(xin)工(gong)藝(yi)29氮(dan)化(hua)硅(gui)(gui)和(he)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)一維納米(mi)結構及其制備方法。

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氮化硅(gui)的(de)生產方法(fa)劉佩珠摘要:正本介紹的(de)Si_3N_4的(de)生產方法(fa)如(ru)下:采用固體二硫化硅(gui)與氣(qi)態氨反應,溫度(du)控制在(zai)800~1450℃,回收無定形(xing)Si_3N_4。。

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2012年9月19日-2CN02100873.6一種制(zhi)造(zao)(zao)電(dian)池的燒結鎘負(fu)極的方法及其制(zhi)造(zao)(zao)產(chan)品3CN70CN86100384氮化硅工程陶(tao)瓷燒結新工藝71CN86106840熱窯燒結設備(bei)與(yu)。

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[圖文]摘要:摘要:研究了等離子增(zeng)強化學(xue)氣相淀(dian)積(PECVD)工藝中(zhong)射頻(pin)條件(jian)(功率和頻(pin)率)對氮化硅(gui)薄膜應力的影響。對于不同(tong)射頻(pin)條件(jian)下薄膜的測試結果表明(ming):低頻(pin)(LF)時氮化硅(gui)。

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河南科技大學畢(bi)業設(she)計(論文)I噴涂(tu)工(gong)藝(yi)對氮化硅涂(tu)層品質的(de)影響摘要鑄造(zao)因此容(rong)易(yi)在制造(zao)工(gong)藝(yi)中受(shou)石(shi)英、石(shi)墨、設(she)備以及管(guan)道等(deng)的(de)沾(zhan)污(wu)。坩(gan)堝的(de)使用一方面提高(gao)。

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技術難題:1.生產氮(dan)化(hua)硅錳(meng)從技術上采(cai)用普通(tong)硅錳(meng)和普通(tong)硅鐵(tie)作為原料(liao),工藝上采(cai)用物料(liao)5.所(suo)用的臥式推板窯等加熱(re)設(she)備利用電感(gan)應加熱(re)方式,在微正壓下工作,省(sheng)去了真空。

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