碳化硅粉末中雜質元素的測定-《上海金屬.有色分冊》1992年05期
陶瓷材料等離子發(fa)射光譜法微(wei)量(liang)雜質元素測定(ding)微(wei)電子工(gong)業發(fa)動機雜質分析高溫技術聚變裝置微(wei)量(liang)元素。
碳化硅微粉中的雜質太多怎么處理_百度知道
如(ru)(ru)碲化(hua)(hua)鉛(PbTe)、砷化(hua)(hua)銦(InAs)、硫化(hua)(hua)鉛(PbS)、碳化(hua)(hua)硅(SiC)等。與金屬材料(liao)不同,半(ban)導體(ti)中雜質含量和外界條件(jian)的(de)(de)改變(如(ru)(ru)溫度變化(hua)(hua)、受光照(zhao)射等),都(dou)會使半(ban)導體(ti)的(de)(de)。
碳化硅_百度百科
怎樣(yang)去除碳化(hua)硅制(zhi)品(pin)(pin)中的(de)雜質沒有(you)任(ren)何(he)一件事物是(shi)(shi)沒有(you)雜質的(de),即便(bian)是(shi)(shi)很多(duo)化(hua)學原(yuan)料或(huo)者經(jing)過多(duo)重步(bu)驟產(chan)生的(de)高科技(ji)產(chan)品(pin)(pin),所以,目前市場上出現(xian)的(de)碳化(hua)硅產(chan)品(pin)(pin)也(ye)有(you)很多(duo)雜質。但是(shi)(shi)。
碳化硅中一般都含有什么雜質?_已解決-阿里巴巴生意經
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怎樣去除碳化硅制品中的雜質-新聞動態-淄博中晶碳素有限公司
本發明涉及一種應用X射線熒(ying)光光譜法檢測碳(tan)(tan)化硅(gui)(gui)雜質含量的方法,其步驟如(ru)下(xia):1、制備測試(shi)樣(yang)片;2、制備標準樣(yang)片:①提純(chun)碳(tan)(tan)化硅(gui)(gui)的制樣(yang);②碳(tan)(tan)化硅(gui)(gui)提純(chun),制備出(chu)純(chun)品碳(tan)(tan)化硅(gui)(gui);③。
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現(xian)在的(de)原料主要成分是硅和(he)碳化硅的(de)混合(he)物,里面含(han)有(you)少(shao)量鐵(tie)雜(za)質,怎樣除去(qu)鐵(tie),請各位賜教(jiao),謝謝。
應用X射線熒光光譜法檢測碳化硅雜質含量的方法-查詢下載-中國
2012年12月28日-碳(tan)化(hua)硅晶體中(zhong)的雜質是(shi):鐵、鋁、鈣(gai)、鎂、硅等的氧化(hua)物(wu)(wu)和(he)碳(tan)化(hua)物(wu)(wu),以及它(ta)們的共熔物(wu)(wu)。這些雜質在(zai)冶煉爐熱(re)動力條(tiao)件下(xia),溫(wen)度在(zai)2100——2200℃時被蒸發排。
如何去除硅和碳化硅的混合物中的少量鐵雜質-非金屬-小木蟲-
[24]β-碳(tan)化硅(gui)因其相較α-碳(tan)化硅(gui)擁(yong)有(you)更(geng)高的比表面積,所以可用于非均相催化劑的負(fu)載體(ti)(ti)。純(chun)的碳(tan)化硅(gui)是(shi)無色(se)的,工業用碳(tan)化硅(gui)由于含(han)有(you)鐵(tie)等雜(za)質而呈現棕色(se)黑色(se)晶體(ti)(ti)。
介紹有關碳化硅晶體中參雜的雜質|泰州市宏光金剛砂耐磨材料廠
開始時(shi)間:結束時(shi)間:雜質碳加工(gong)工(gong)藝-催化劑,二(er)氧化碳,碳化硅,X射線,生產(chan)碳化硅版的出(chu)價(jia)/購(gou)買記錄Top一(yi)口價(jia):元該物品已下(xia)架立即(ji)購(gou)買。
碳化硅-維基百科,自由的百科全書
導(dao)熱(re)(re)率(lv):碳化硅制品的(de)導(dao)熱(re)(re)率(lv)非(fei)常非(fei)常高,熱(re)(re)膨脹參(can)數小巧,抗熱(re)(re)震性非(fei)常非(fei)常高,是(shi)優(you)質(zhi)(zhi)的(de)耐火材料。3、電學屬性恒溫(wen)下(xia)工業碳化硅是(shi)一(yi)種半導(dao)體(ti),屬雜質(zhi)(zhi)導(dao)電性。高純度。
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阿里(li)巴巴供應綠(lv)色碳(tan)化(hua)硅(gui)雜質(zhi)少硅(gui)含量98.5河(he)南(nan)SIC碳(tan)化(hua)硅(gui)生產(chan)基地(di),研(yan)磨材(cai)料,這(zhe)里(li)云集了眾多的供應商,采購商,制造商。這(zhe)是(shi)供應綠(lv)色碳(tan)化(hua)硅(gui)雜質(zhi)少硅(gui)含量98.5河(he)南(nan)。
碳化硅雜質對石墨加熱棒溫度場的影響數值模擬研究_百度文庫
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碳化硅的特性和根本機能
碳(tan)化硅中(zhong)雜質的(de)形態(tai)-碳(tan)化硅中(zhong)雜質的(de)形態(tai)碳(tan)化硅的(de)研發成功并(bing)很好的(de)利用是市場發展過程(cheng)中(zhong)的(de)一大進(jin)步點(dian),特別是對于1893年艾奇遜的(de)發明為引子,由(you)此推出的(de)國(guo)內由(you)趙廣和。
供應綠色碳化硅雜質少硅含量98.5河南SIC碳化硅生產基地
2011年(nian)6月(yue)14日(ri)-碳(tan)化硅在現(xian)代工業生產中的應用范圍比較廣泛,比較為(wei)人們所了解的是應用于磨料、磨具(ju)領(ling)域。但是隨著科學技術的進步,人們對碳(tan)化硅的認識(shi)也逐漸深入,由此開(kai)發。
綠色碳化硅硬度高,雜質少硅含量98.5優質碳化硅材料價格,
碳(tan)化硅(gui)(gui)(SiC)是用石(shi)英砂、石(shi)油焦(jiao)(或煤焦(jiao))、木(mu)屑為(wei)原料通(tong)過(guo)電阻(zu)爐高(gao)溫冶(ye)煉而成。碳(tan)化硅(gui)(gui)在大(da)自然也存在罕見(jian)的(de)礦物,莫桑石(shi)。碳(tan)化硅(gui)(gui)又稱<a。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-碩士論文-道客巴巴
碳(tan)化(hua)硅;物(wu)理性(xing)(xing)(xing)質性(xing)(xing)(xing)狀:綠(lv)色(se)藍(lan)黑色(se)結晶(jing)性(xing)(xing)(xing)粉末(mo).含(han)雜(za)質的(de)碳(tan)化(hua)硅為(wei)綠(lv)色(se),固性(xing)(xing)(xing)狀:綠(lv)色(se)藍(lan)黑色(se)結晶(jing)性(xing)(xing)(xing)粉末(mo).含(han)雜(za)質的(de)碳(tan)化(hua)硅為(wei)綠(lv)色(se),固溶有(you)炭(tan)和金(jin)屬氧(yang)化(hua)物(wu)雜(za)質呈黑色(se)。密。
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論文天下提供(gong)的(de)<二(er)次離子(zi)質(zhi)(zhi)譜分析碳化硅中釩雜(za)質(zhi)(zhi)含(han)量(liang)的(de)研(yan)究;論文包括(kuo)碳化硅二(er)次離子(zi)質(zhi)(zhi)譜釩摻雜(za)定量(liang)分析二(er)次離子(zi)質(zhi)(zhi)譜分析離子(zi)注入樣品等其他相關內容(rong)論文。
jinshinaicai-和訊財經微博-碳化硅中雜質的形態-碳化硅中..
2013年(nian)4月24日(ri)-碳化硅俗稱金剛(gang)石,又稱碳硅石,主(zhu)要用作耐(nai)磨材料(liao),耐(nai)火材料(liao),核反應堆材料(liao)及制造電阻發(fa)熱硅碳棒(管(guan)),半(ban)導體元件(jian),C二級管(guan),晶(jing)體管(guan),電器(qi)元件(jian),火箭(jian)噴管(guan)等。
加強生產工藝管理提高碳化硅產品質量——寧夏天凈集團碳化硅
產(chan)業領域:新(xin)能源(yuan)光伏需求類型:技術服務需求編號:189-07制(zhi)粉(fen)是(shi)碳(tan)化(hua)硅微粉(fen)生(sheng)產(chan)中(zhong)(zhong)的重要(yao)工序,但由于(yu)碳(tan)化(hua)硅的硬(ying)度(du)較高,其(qi)莫(mo)(mo)氏硬(ying)度(du)為(wei)9.5級,在莫(mo)(mo)氏硬(ying)度(du)標(biao)準中(zhong)(zhong)僅低于(yu)金剛石。
碳化硅-搜搜百科
本文采用(yong)ICP-MS法對(dui)高(gao)純碳化硅粉表面的(de)Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12種痕量雜質進行測定(ding),用(yong)氫(qing)氟酸(suan)溶液浸提試樣表面雜質,用(yong)釔(yi)做(zuo)內標補償。
碳化硅|化合物-查字典
一種無TiC雜(za)質相的(de)碳化(hua)硅鈦(tai)(tai)陶(tao)瓷粉體的(de)合成(cheng)方法(fa),其特(te)征(zheng)在于:(1)以Ti粉、Si粉和TiC本發明公開了一種低(di)成(cheng)本無TiC雜(za)質相的(de)碳化(hua)硅鈦(tai)(tai)陶(tao)瓷粉體的(de)常(chang)壓(ya)合成(cheng)方法(fa),。
二次離子質譜分析碳化硅中釩雜質含量的研究-收費碩士博士論文-
臨沂(yi)市金蒙碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)有(you)限(xian)公司是一家擁有(you)國內先進的(de)碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)微(wei)粉(fen),黑碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui),綠碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui),綠碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)微(wei)粉(fen),黑碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)微(wei)粉(fen),碳化(hua)硅(gui)(gui)(gui)粒度(du)砂,生產線和工藝技(ji)術,服務(wu)熱線:400-6291-618。
碳化硅成分及性質_行業新聞_濟源防腐耐磨材料有限公司
2008年5月(yue)9日-碳化硅(gui)電力(li)電子器(qi)件研發進展與存在問題(ti),1引言(yan)借(jie)助(zhu)于微電子技術的(de)長足(zu)發展,以(yi)硅(gui)器(qi)件為基(ji)礎的(de)電力(li)電子技術因大功率(lv)場效應(ying)晶體管(功率(lv)MOS)和(he)絕緣柵雙極晶體。
要除去碳化硅中的含鐵的雜質和氧化鋁膠體及游離碳,需要進行酸
1、游離硅(gui)。它一部(bu)分溶解于SiC晶體(ti)中,一部(bu)分與其雜質(如(ru)鐵、鋁、鈣等)形(xing)成合金而粘附于晶體(ti)上(shang)或嵌在(zai)(zai)晶體(ti)中。2、游離二氧化(hua)硅(gui)。通常存在(zai)(zai)于晶體(ti)表面。大都是由(you)于。
請教一下有關碳化硅的一些問題_化學吧_百度貼吧
對SiC中基態(tai)施(shi)主能級(ji)分裂對雜質(zhi)電離的影(ying)響(xiang)(xiang),與溫度(du)、摻雜濃度(du)和雜質(zhi)能級(ji)深度(du)的關(guan)系進行了系統研(yan)究。發現只有在高溫且摻雜濃度(du)低的情況下,能級(ji)分裂的影(ying)響(xiang)(xiang)很小可(ke)忽略(lve)不計(ji)。
(189-07,新能源光伏,技術服務)碳化硅微粉中鐵雜質清除裝置及方法
氮化硅(gui)結合(he)碳化硅(gui)材料反(fan)應燒(shao)結時的雜質相(xiang)行為分析(xi),郝小勇;-陶瓷(ci)工程1998年第03期在(zai)線閱(yue)讀、文章下載。<正;l前言Si3N4結合(he)SIC材料的研(yan)究近年來(lai)在(zai)國內發展(zhan)較(jiao)快(kuai),該。
ICP-MS法測定高純碳化硅粉表面的痕量雜質Determinationoftrace
分(fen)(fen)析了Si3N4結合(he)Si3C材料(liao)反應(ying)燒結時Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等(deng)雜(za)質(zhi)(zhi)相的反應(ying)行(xing)為。氮化硅結合(he)碳化硅材料(liao)反應(ying)燒結時的雜(za)質(zhi)(zhi)相行(xing)為分(fen)(fen)析前言:分(fen)(fen)析了Si3N4結合(he)Si3C材料(liao)。
碳化硅陶瓷工藝流程解析-新聞-九正建材網(中國建材網)
[圖(tu)文]目前(qian),國內使用的切(qie)割液(ye)和碳化(hua)硅微(wei)粉在線切(qie)割過程中,砂漿(jiang)中不(bu)可避免的會混入硅粉、鐵、高聚物等(deng)雜質,部分碳化(hua)硅微(wei)粉也會因切(qie)割作用而(er)出現破損,產(chan)生的廢砂漿(jiang)很(hen)難繼(ji)續。
一種無TiC雜質相的碳化硅鈦陶瓷粉體的合成方法-200710118878-錢眼
氮化(hua)硅結合碳化(hua)硅材(cai)料反(fan)應燒結時(shi)的(de)雜質相(xiang)行為分(fen)析(xi)-分(fen)析(xi)了Si3N4結合Si3C材(cai)料反(fan)應燒結時(shi)Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等(deng)雜質相(xiang)的(de)反(fan)應行為。
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碳化硅質泡沫陶瓷(ci)過(guo)濾(lv)(lv)片(pian),去孔,濾(lv)(lv)渣,吸(xi)附雜質泡沫陶瓷(ci)過(guo)濾(lv)(lv)片(pian)簡介泡沫陶瓷(ci)過(guo)濾(lv)(lv)器的過(guo)濾(lv)(lv)機理:整流作用:在澆鑄系統中放置泡沫陶瓷(ci)過(guo)濾(lv)(lv)片(pian)后(hou),金屬液流阻力增大,。
碳化硅電力電子器件研發進展與存在問題
淄博(bo)鑄泰(tai)碳素有限公(gong)司(si)碳化硅(gui)簡介:碳化硅(gui)英(ying)文名(ming)稱:siliconcarbide,俗稱金剛砂(sha)。純碳化硅(gui)是無色(se)透明的晶體。工業(ye)碳化硅(gui)因所含(han)雜質的種類和(he)含(han)量不同,而呈(cheng)淺黃、綠、藍。