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碳化硅晶片之研究——黑郁金香的博客——東方財富網博客

名稱(cheng):碳化硅晶(jing)(jing)片,發明人(ren):陳棟,簡介:碳化硅晶(jing)(jing)片是一(yi)(yi)種微細的片狀單(dan)晶(jing)(jing)體,直徑一(yi)(yi)般為3-300μm,厚度0.5-15μm。與晶(jing)(jing)須相比,晶(jing)(jing)片的優點是價格(ge)較低、純度高。

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2010年(nian)8月31日-碳化硅(gui)(gui)晶(jing)片,股(gu)吧,金融界愛(ai)股(gu),碳化硅(gui)(gui)單(dan)晶(jing)系第三代(dai)高寬帶隙半導體材料包括(kuo)黑(hei)碳化硅(gui)(gui)和(he)(he)綠碳化硅(gui)(gui),其中:黑(hei)碳化硅(gui)(gui)是以石英砂,石油焦和(he)(he)優質硅(gui)(gui)石為主要原料,。

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公(gong)司(si)碳(tan)化(hua)硅晶片產業化(hua)后將改變我國目前碳(tan)化(hua)硅晶片依賴進(jin)口的(de)(de)局面,并開拓第三(san)代半(ban)導體(ti)碳(tan)化(hua)硅晶片的(de)(de)全球市場,我們預計公(gong)司(si)將發揮技術和成本(ben)優勢,實現(xian)規模化(hua)生產,進(jin)而成為。

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1、碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)的特(te)性(xing)。與硅(gui)和砷化(hua)(hua)鎵GaAs為(wei)代表的傳統半導體(ti)材料相比,碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)C半導體(ti)在工作(zuo)(zuo)度、抗輻射、耐高(gao)擊穿電壓性(xing)能等方面具(ju)有很大優(you)勢(shi)。碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)C作(zuo)(zuo)為(wei)目(mu)前。

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天富熱電(dian)碳化(hua)硅(gui)晶片專題(ti)1、碳化(hua)硅(gui)的(de)(de)特(te)性。與硅(gui)()和砷化(hua)鎵(GaAs)為代表的(de)(de)傳統半(ban)(ban)導體材(cai)料相(xiang)比,碳化(hua)硅(gui)(C)半(ban)(ban)導體在(zai)工(gong)作度、抗輻射、耐(nai)高(gao)擊穿(chuan)電(dian)壓性能等方面具(ju)有很大。

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2008年1月28日(ri)-同時,在(zai)國內(nei)建立了(le)一(yi)條完整的從切割、研磨到(dao)化(hua)(hua)學機(ji)械拋光(CMP)的碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)晶片中試生產線(xian),建成(cheng)了(le)百級(ji)超(chao)凈室,開發出碳(tan)化(hua)(hua)硅(gui)晶片表面(mian)處理,清洗、封裝等。

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2009年4月(yue)22日-北京(亞洲金屬)2009-4-22據悉,4月(yue)20日,新疆(jiang)天(tian)科(ke)合(he)達藍光半(ban)導體有限公司對其2英寸6H導電型碳(tan)化硅(gui)晶片報出150-250美(mei)元/片的超低(di)促(cu)銷價格(ge),給國際。

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摘要:常規加熱(re)技術生產的碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)晶(jing)片(pian)能耗(hao)大、成本高,所以在國內外(wai)市場上碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)晶(jing)片(pian)的供應(ying)量少、價格高,限(xian)制了碳(tan)(tan)化(hua)硅(gui)晶(jing)片(pian)在復合材料中的廣泛(fan)應(ying)用。采(cai)用粉(fen)末電熱(re)體。

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